Импульсный свет в фотографии

о накамерных вспышках, студийных моноблоках, генераторах и т.п..
Текущее время: 13 дек 2018, 13:37




Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 29 ]  На страницу 1, 2  След.
Автор Сообщение
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:02 
Не в сети
мастер

Зарегистрирован: 26 сен 2012, 15:27
Сообщения: 1001
Откуда: RU, Crimea, Simferopol
Интересно, почему в таких схемах [внешних преобразователей для вспышек] не используют до сих пор полевики?


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:02 
Не в сети
эксперт

Зарегистрирован: 25 сен 2012, 22:00
Сообщения: 8731
Используют. Только Canon Transistor Pack E уже лет 10 как не выпускается. Теперь другие идут.
Вероятно, полевыми сложнее управлять.
Хотя сейчас есть готовые микросхемы, совмещающие и преобразователь и драйвер для IGBT импульсной лампы. Используются в цифровых фотоаппаратах.

Кладезь знаний по силовой электронике:
http://valvol.ru/
http://valvolodin.narod.ru/


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:03 
Не в сети
мастер

Зарегистрирован: 26 сен 2012, 15:27
Сообщения: 1001
Откуда: RU, Crimea, Simferopol
impulsite писал(а):
Вероятно, полевыми сложнее управлять. Верно?
думаю нет. какая разница вообще чем ? пять деталей сюда, пять туда...
принципиально ничего не решается. или есть другое причины.

в никонах sb800/sb900 и кенонах вроже тоже биполярники на преобразователе стоят ..

ага 2 в паралель - 2SB1148 в sb600 и sb800.. нужно подумать почему


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:03 
Не в сети
эксперт

Зарегистрирован: 25 сен 2012, 22:00
Сообщения: 8731
А во вспомогательных преобразователях в этих же вспышках - сплошь MOSFETы. :)

И вот один из преобразователей для вспышки с использованием IRF511 (сейчас есть MOSFETы и с меньшим сопротивлением перехода исток-сток): http://www.discovercircuits.com/PDF-FILES/xenfls1.pdf


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:03 
Не в сети
мастер

Зарегистрирован: 26 сен 2012, 15:27
Сообщения: 1001
Откуда: RU, Crimea, Simferopol
у меня есть самый малоомный - HAT2165H
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching с видeокарты.

в общем схема с irf511 новизной не блещет, давно примерно такую собирал для питания газоразрядных индикаторов. успешно работала.

Изображение Изображение Изображение

сейчас ее облагородил немного (исполнение)

выскажу свое мнение:
полевик управляется напряжением,
биполярный транзистор током

исходя из этого сделать например низковольтный повышающий преобразователь на полевике проблематично (думаю, что пока не существуют полевики с напряжением уверенного открывания 1-3 вольта)

но ко входному/выходному сопротивления это относиться мало...


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:09 
Не в сети
эксперт

Зарегистрирован: 25 сен 2012, 22:00
Сообщения: 8731
По схемам вспышек вижу, что практически везде, для служебного питания схем используются маломощные DC-DC на основе MOSFET, вот хотя бы в схеме SB-800 транзистор FET2, аналогично в схеме вспышек Сигма FET7 http://impulsite.narod.ru/sigma/ef530dgsuper/powera.jpg и т.д., формирующие стабильное напряжение 5 В от нестабильного напряжения батареи.


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:10 
Не в сети
мастер

Зарегистрирован: 26 сен 2012, 15:27
Сообщения: 1001
Откуда: RU, Crimea, Simferopol
boras писал(а):
Из графика видно, что напряжение сток-исток полностью открытого транзистора равно: 3В при токе 0,6А, ... , 10В при токе 16А.
а вы уверены в том, что правильно интерпретируете графики ???
вечером постараюсь более подробно расписать. :)


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:11 
Не в сети
новичок
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 26 сен 2012, 21:24
Сообщения: 13
Цитата:
http://lib.chipdip.ru/292/DOC000292814.pdf См. график fig.1, fig.2.
Из графика видно, что напряжение сток-исток полностью открытого транзистора равно: 3В при токе 0,6А, ... , 10В при токе 16А.
Согласно http://lib.chipdip.ru/292/DOC000292814.pdf сопротивление открытого полевого транзистора IRLR024Z составляет 58 миллиОм. Пренебрегая тем, что это сопротивление нелинейно, умножим это значение на максимальный ток 16 А и получим приближенное значение падения напряжения на открытом транзисторе около 0,9 В. При токе 0,6 А падение напряжения будет еще меньшим...

_________________
Владимир


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:13 
Не в сети
мастер

Зарегистрирован: 26 сен 2012, 15:27
Сообщения: 1001
Откуда: RU, Crimea, Simferopol
итого, дошло время раскрыть эту тему поподробней:

воспользуемся ссылкой на pdf полевика и обсудим следующую картинку
табличку внизу оставим на потом.

Изображение

разберем подписи

вертикальная ось - ток истока в Амперах
горизонтальная ось - напряжение исток-сток в Вольтах

тепрь подпись на легенде
Vgs - это напряжение между стоком и затвором в Вольтах

то есть на картинке изображены кривые зависимости тока Истока и напряжения Исток-Сток от управляющего напряжения на затворе!!

надпись справа внизу <60mS PULSE WIDTH наводит на мысли, что эти кривульки сделаны не для постоянного тока, а для импульсов... что в общем к нашему делу не имеют...

теперь обсудим, что это значит

допустим, мы хотим использовать наш полевик в качестве ключа для коммутации активной нагрузки - например резистора.

в нагрузку мы хотим залить 10 ампер например:

по этим кривулькам мы можем определить, что напряжением на затворе меньше 4.5 вольт его вообще не открыть на такой ток!!
кривулек ниже 3 вольт на затворе нет, видимо потому что он вообще не откроется.
кривулек выше 10 вольт на затворе тоже нет - потому что он уже при 7-8 распахнут полностью...

тепрь о табличке - на графике я отметил красными точками, параметры Vds, Id - описанные в табличке.
если по этим точкам посмотреть напряжение между стоком и истоком (горизонтальная ось)- увидим, что падение на нем всегда меньше 0.5 вольт!!!

другими словами эти кривульки связывают 3 величины
ток стока
напряжения на затворе
напряжение между стоком и истоком


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:13 
Какое напряжения сток-исток будет у этого 16-ти амперного транзистора, хотя бы при токе 13,5 А?
И какое будет у биполярного, соответствующей мощности?
Согласитесь, что разница очень существенная, причём не в пользу полевика! Но, вести разговоры о полном вытеснении биполярных транзисторов полевиками, даже в классе высоковольтных силовых ключей, пока ещё очень рано!
Что-то я ни как не пойму какая реальная длительность фронтов включения и выключения данного транзистора на предельнодопустимых режимах по току и напряжению?


Вернуться к началу
   
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:14 
Не в сети
мастер

Зарегистрирован: 26 сен 2012, 15:27
Сообщения: 1001
Откуда: RU, Crimea, Simferopol
boras писал(а):
Какое напряжения сток-исток будет у этого 16-ти амперного транзистора, хотя бы при токе 13,5 А?

Изображение
boras писал(а):
И какое будет у биполярного, соответствующей мощности?
у какого конкретно ? укажите тип прибора.
boras писал(а):
Согласитесь, что разница очень существенная, причём не в пользу полевика!
пока она для меня не очевидна. см выше.

а если мы возмем другой полевик, например такой:
APM3009NGC-TR N-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V 70A 7mOh(10v),11mOh(4.5v) ??
boras писал(а):
Но, вести разговоры о полном вытеснении биполярных транзисторов полевиками, даже в классе высоковольтных силовых ключей, пока ещё очень рано!
тоже как то категорично...
boras писал(а):
Что-то я ни как не пойму какая реальная длительность фронтов включения и выключения данного транзистора на предельнодопустимых режимах по току и напряжению?
Думаю что можно взять из даташита
rise time - 43ns
fall time - 16ns

но при таких скоростях вы можете столкнутся с эффектом Миллера в mosfete.

43ns - это если я правильно посчитал соответствует частоте ~23Mhz!!
для чего вам его смыкать с такой частотой ??

p.s.
может вынесем этот трей в более подходящую ветку форума ?


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:14 
Не в сети
эксперт

Зарегистрирован: 25 сен 2012, 22:00
Сообщения: 8731
Щас, "отрежу" все сообщения касательно полевых. Как лучше новую ветку назвать?
Может, "Некоторые нюансы применения MOSFET" ? Или: "Борьба полевых с биполярными" ?

Предложите название разговору начиная с http://impulsite.ru/viewtopic.php?p=333#p333


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:15 
Не в сети
мастер

Зарегистрирован: 26 сен 2012, 15:27
Сообщения: 1001
Откуда: RU, Crimea, Simferopol
лучше так : силовые транзисторы: MOSFET, IGBT, биполярные..

в общем то никто не борется - у каждого есть своя ниша.

рекомендую почитать для общего развития

Воронин - Силовые полупроводниковые ключи 2001/2005
ну и опять
Семенов - Силовая электроника 200х/2005


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:15 
Есть подозрение, что я привёл в пример полевой транзистор с минимальным падением напряжения сток-исток из тех тысяч, что есть в иноземных каталогах!


Вернуться к началу
   
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:15 
Не в сети
мастер

Зарегистрирован: 26 сен 2012, 15:27
Сообщения: 1001
Откуда: RU, Crimea, Simferopol
boras писал(а):
Есть подозрение, что я привёл в пример полевой транзистор с минимальным падением напряжения сток-исток из тех тысяч, что есть в иноземных каталогах!
у меня с разборки видюхи остались

LFPAK
HAT2165 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 30V 55A 2.5mOh
SuperSO8
BSC059N03S Low Voltage MOSFETs - OptiMOS╝2 Power MOSFET, 30V 50A 5.5mOhm

вот эти я считаю минимальные - 2,5 милли Ом !


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:16 
Не в сети
коллега

Зарегистрирован: 26 сен 2012, 21:28
Сообщения: 61
Забавно, что все спорщики пишут свои ответы за компами.
А в материнских платах импульсные преобразователи, обеспечивающие питание процессора со времен Pentium I только на MOSFETах делают - причем токи потребления в современных процессорах намного больше, чем вспышках.
Самый распостраненный в старых платах 2SK2885 имеет сопротивление RDS(on) 15 миллиОм при токе Id=20A и напряжении на затворе VGS = 4V

Преобразователи вспышек делают на биполярных лишь потому, что они дешевле. И до КПД никому никакого дела нет, все так же ставят прямоходовые преобразователи.


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:17 
Не в сети
мастер

Зарегистрирован: 26 сен 2012, 15:27
Сообщения: 1001
Откуда: RU, Crimea, Simferopol
d324co писал(а):
Забавно, что все спорщики пишут свои ответы за компами.
а как иначе ?

изучение документации никогда лишним не было. ибо как показывает опыт - многие научившись читать в школе всеравно не понимают смысла написанного.
да и учиться никогда не поздно...если есть желание научится чему либо...

d324co писал(а):
Преобразователи вспышек делают на биполярных лишь потому, что они дешевле. И до КПД никому никакого дела нет, все так же ставят прямоходовые преобразователи.
будем развеивать мифы:
*сможете определить в процентак стоимость детелей преобразователя от цены всего устройства ?
*так бы было, если бы в них использовался бесконечный источник энергии, но увы, таких пока еще не придумали.
если смотрели схему вспышки 420 или никоновских sb - там даже добавляют 5-10 деталей чтобы отключать источник в 30 вольт (питание схемы управления igbt )от зарядной ёмкости ! делали бы они так если бы хотели сэкономить 3 копеки на деталях? пофигу им потребление от батареек?
* а вы знаете наверняка какой преобразователь стоит в последней вспышке сигмы - EF-610 DG Super flash ??

вот у меня жена сменила для съемки 430 на мец 58. если раньше ей хватало 1 комплекта аккумов, то теперь на тоже самое уходит два. а если взять еще что то мощнее ? нужно 10 комплектов ?


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:20 
Не в сети
мaстер
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 27 сен 2012, 00:15
Сообщения: 278
Много интересного можно узнать из патентов на изобретения. Конечно не каждый патент является истиной в последней инстанции, но просмотрев десяток документов, можно найти ответ практически на любой вопрос.

Например воспользуемся сайтом http://www.freepatentsonline.com для поиска патентов Canon по фотовспышкам. Вводим в строку поиска AN/Canon DC-DC flash и в первом же документе под номером US4306281 (30 лет назад!) узнаём что более предпочтительно было бы использовать германиевый PNP транзистор, но в связи с сокращением их производства, пришлось разработать схему на кремниевом NPN транзисторе. Даётся несколько вариантов преобразователя с подробным описанием всех процессов (кстати довольно стандартная схема).
Рекомендую обратить внимание на четвёртый в списке документ под номером US6404987, в котором очень подробно описана система ETTL (принцип, логика, побитная передача команд, типовая схема, в общем всё-всё-всё).

Следующим шагом хотелось бы узнать про преобразователи в фотовспышках на мосфетах. К сожалению мне не удалось их найти, хотя кое какие упоминания конечно есть. Например в таком вот безродном (частном) документе US20070223907 упоминаются именно недостатки использования полевиков во вспышках фотомыльниц.

ЗЫ я эти патентики уже давно почитываю по самым разным вопросам. Так вот сложилось твёрдое убеждение что на первом месте у разработчиков идёт экономия электроэнергии, а на втором низкая стоимость. И никак не наоборот :wink:

_________________
Нет такой проблемы, которую мы не смогли бы проигнорировать, приложив совместные усилия.
Король Ральф I


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:20 
Не в сети
мастер

Зарегистрирован: 26 сен 2012, 15:27
Сообщения: 1001
Откуда: RU, Crimea, Simferopol
boras писал(а):
Если бы не не необходимость высоком КПД, то этот класса приборов был бы попросту не нужен! Дорого и помех всех не уловишь!
странные разговоры у нас пошли, нужен - не нужен.

если это сделали, значит это кому то нужно! что появилось в первую очередь - задача или способ решения - то не всегда ответ очевиден...

boras писал(а):
Полевой транзистор - устоявшееся название этого класса транзисторов. Так и называйте его по-Русски!
дело все в том, что полевой транзистор это обобщенный термин - их разных видов больше десятка-двух!!

в силовой электронике используется исключительно MOSFET - metall-oxyde-semiconductor field effect transistor!

и продолжение это проблемы в том, что это тоже обобщенное название целого класса устройств сделанных по разной технологии !!
(HEXFET® Power MOSFET, TrenchMOS™ technology, TMOS E-FET - и у каждого производителя своя фенечка, а иногда и не одна)
и если это опять переводить на русский - то можно устать, весьма быстро..

в книжке Воронина есть описание...


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:22 
Приобрел сегодня для пробы транзистор IRFZ24N. В корпусе ТО220АВ.


Вернуться к началу
   
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:22 
Не в сети
мастер

Зарегистрирован: 26 сен 2012, 15:27
Сообщения: 1001
Откуда: RU, Crimea, Simferopol
boras писал(а):
Приобрел сегодня для пробы транзистор IRFZ24N. В корпусе ТО220АВ.
я бы для такого применения брал бы IRFZ44.
сопротивления канал 0.028 в сравнении 0.07!

по управлению:
    можно запараллелить несколько выходов 561лн - для увеличения тока. или попробовать использовать 561пу1/3/4 - там кажется ток выходной побольше будет.
    можно использовать пару транзисторов, которые будут форсировать открывание, закрывание.
    можно один, который разряжает ёмкость затвора
    можно использовать драйверы специальные...


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:23 
sa137 писал(а):
я бы для такого применения брал бы IRFZ44.
сопротивления канал 0.028 в сравнении 0.07!
48-ми амперный транзистор? Для схемы с рабочим током не превышающим 5А? Это перебор!
...
Ключ со схемкой управления уже работает на дроссель с активной нагрузкой по токовому выходу! Схемка формирования сигнала управления ключом с защитой ключа от замагничивания накопительного дросселя вписалась в два корпуса 564(561) серии. Одна 564ЛЕ5 и вторая 564ТМ2. Плюс пара транзисторов. Один используется для индикации работы защиты по току, второй для приёма сигнала управления от вспышки.
Накопительный дроссель намотан на МП140.
Завтра хочу сделаю имитатор сигнала управления от вспышки и, если успею, то запущу высоковольтную часть.
Если можете более подробно пояснить логику сигнала управления от вспышки (который 5-ть вольт), то было бы не плохо! Не могу разобраться! На момент срабатывания вспышки сигнал управления блокирует вспомогательный источник или нет?! Очень не хочется ошибиться и в конце работы сжечь 580-ую.
Ещё надо убрать сильный "звон" дросселя при выключении ключа! Особенно он раздражает при переходе схемы в режим "стабилизации" выходного зарядного тока.


Вернуться к началу
   
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:24 
Не в сети
мастер

Зарегистрирован: 26 сен 2012, 15:27
Сообщения: 1001
Откуда: RU, Crimea, Simferopol
boras писал(а):
48-ми амперный транзистор? Для схемы с рабочим током не превышающим 5А?
почему ?? разница в цене копейки. за которые вы "купите" лишние 20-30% кпд преобразователя !! на мой взгляд это стоит того.
boras писал(а):
Ключ со схемкой управления уже работает на дроссель с
активной нагрузкой по токовому выходу
слабо понимаю, что именно вы изобретаете .. тут нужно схему или более полное описание.
если есть интерес обсудить - заведите в личных темах отдельную ветку вашего проекта, а здесь оставим голую теорию.

нашлось в просторах интернета. очень структурировано и подробно описано.
Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми полевыми транзисторами: http://valvolodin.narod.ru/articles/fetdrvr.pdf


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:26 
Не в сети
мастер

Зарегистрирован: 26 сен 2012, 13:06
Сообщения: 589
Спасибо, Александр! Пока быстро пробежался - вижу, что хороший учебник с примерами расчётов. Да и сайт Валентина Володина http://valvolodin.narod.ru - при всей своей внешней скромности - просто кладезь полезного материала.


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Непрочитанное сообщениеДобавлено: 27 сен 2012, 16:27 
Не в сети
новичок

Зарегистрирован: 27 сен 2012, 01:05
Сообщения: 7
boras писал(а):
sa137 писал(а):
я бы для такого применения брал бы IRFZ44.
сопротивления канал 0.028 в сравнении 0.07!
48-ми амперный транзистор? Для схемы с рабочим током не превышающим 5А? Это перебор!.
Это недобор. Если пропускать через него 48А то грется он будет на 65Ватт. А при 10А уже 3 Ватта. А учитывая то, что импульсные токи транзистора будут в разы больше, то при потреблении 5А одного такого транзистора будет хватать впритык. Я делал обратноход на эффективных 75Ватт с 6Вольт (16А потребление), как раз для подзарядки конденсатора вспышки. Так вот, у меня стояло 3 штуки впаралель IRFZ44N с сопротивлением каждого 0.017 мОм. И при долговременной работе на нагрузку (лампочка 75Ватт на 220в) они начинали грется так, что понадобился небольшой радиатор.


Вернуться к началу
  Профиль  
 
Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 29 ]  На страницу 1, 2  След.

Часовой пояс: UTC + 4 часа


Кто сейчас на форуме

Зарегистрированные пользователи: Михаил68


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Перейти:  

При использовании материалов сайта ПРЯМАЯ ссылка на источник impulsite.ru обязательна!


Создано на основе phpBB® Forum Software © phpBB Group