Стабилизатор напряжения +30...33 вольта

Общие вопросы, схемные решения узлов вспышек
Закрыто
  • Автор
  • Сообщение
Не в сети
эксперт
Сообщения: 10369
Стаж 8 лет 8 месяцев

Стабилизатор напряжения +30...33 вольта

Непрочитанное сообщение Impulsite » 19 апр 2021, 13:01

Как правило, для питания IGBT-драйверов, требующих напряжение от 30 до 33 вольт (а в некоторых случаях 17...20 вольт), применяются отдельные стабилизаторы напряжения. Надеюсь в этой теме описать эти узлы, имеющиеся во всех автоматических вспышках с IGBT-транзисторами.

Начнём со стабилизатора, который можно видеть во вспышках Yongnuo. На первом рисунке вы видите стабилизатор выделенный цветом в привязке к остальной схеме вспышки. На втором рисунке та же схема, но нарисованная в классическом для параметрического стабилизатора напряжения виде.

Изображение Изображение Изображение

В качестве балластного резистора служат R146, R147. Нагрузка стабилизатора - IGBT-драйвер. Отличие изучаемой схемы от классического стабилизатора лишь в импульсном характере работы. То есть он работает не постоянно, а короткими импульсами, периодически подкачивая фильтрующий конденсатор C105.

Рассмотрим процессы подробнее. В изначальном состоянии транзисторы Q112. Q113, Q114 закрыты. На входе схемы имеется высокое напряжение, обычно до 330 вольт, получаемое от основного конденсатора вспышки, ёмкостью от 700 до 1600 и более микрофарад. На выходе схемы напряжение около 0 В.
Когда на базу транзистора Q113 поступает сигнал "30V_ON", разрешающий включение стабилизатора, транзистор Q113 открывается, как следствие открывается Q112 и через токоограничивающие (балластные) резисторы R147, R146 начинается зарядка конденсатора C105. При достижении на конденсаторе C105 напряжения пробоя стабилитрона D116, последний открывается, через него течёт ток стабилизации, создающий падение напряжения на резисторе R157. Когда падение напряжения на R157 становится достаточным для открытия транзистора Q114, он открывается и своим переходом "коллектор-эмиттер" заземляет (шунтирует) базу открытого транзистора Q113. Как следствие, Q113 закрывается и база транзистора Q112 оказывается отключенной от "земли", что вызывает немедленное закрытие PNP-транзистора Q112 и остановку заряда C105. Цикл подзаряда завершён.
В дальнейшем цикл подзаряда конденсатора C105 повторяется, если на управляющем входе стабилизатора имеется сигнал "30V_ON", а именно положительное напряжение с уровнем от 3 до 5 В.
Уменьшение напряжения на C105, в результате саморазряда или из-за расходования энергии на питание IGBT-драйвера, будет вызывать закрытие стабилитрона D116 с последовательным закрытием Q114, открытием Q113 и Q112 и подкачкой напряжения на C105 до уровня, заданного напряжением пробоя стабилитрона. Если быть точным, напряжение стабилизации (или выходное напряжение такого стабилизатора) равно сумме падения напряжений на стабилитроне и на резисторе R157.

Когда вспышка работает с IGBT типа RJP4301, TIG056, CT40KM, CT40TMH для IGBT-драйвера требуется напряжение питания от 30 до 33 В.
Если же на месте IGBT транзистора применяются RJP5001, IRG4BC40U, HGT1S20N60C3 и другие с напряжением на затворе до 20 вольт, то выходное напряжение стабилизатора должно быть от 17 до 20 вольт. Достигается это заменой D116 на стабилитрон с напряжением пробоя 17...20 В. Также об этом можно почитать в теме "Примеры нестандартной замены и размещения крупногабаритных транзисторов"

Поиском по форуму с ключевыми словами "R147, R146" вы можете найти темы, где обсуждалось повреждение этих резисторов и как можно вылечить эту детскую болячку вспышек Yongnuo: search.php?keywords=R147%2C+R146&terms= ... %D0%BA&t=0
Закрыто

Вернуться в «Конструирование вспышки»