Таблица 1 Id Vgs Pd Rds_on Vd Ciss Case (A) (V) (W) (Ohm) (V) (pF) IRF2804 280 20 330 0,002 at Vgs=10V 40 6450 TO-220, D2PAK IRF6201 27 12 2,5 0,00275 at Vgs=2,5V 20 8550 SO-8 IRF3703 210 20 230 0,0028 at Vgs=10V 30 8250 TO-220 IRFB3077 210 20 200 0,0028 at Vgs=10V 75 9400 TO-220 IRL3713 260 20 330 0,003 at Vgs=4,5V 30 5890 TO-220, D2PAK RJK0393DPA 40 20 40 0,0033 at Vgs=10V 30 3270 SOP8 IRF1404 202 20 333 0,004 at Vgs=10V 40 5669 TO-220 IRF2805 75 20 330 0,0047 at Vgs=10V 55 5110 TO-220 IRL2505 104 16 200 0,008 at Vgs=10V 55 5000 TO-220 SM4028N 60 20 60 0,008 at Vgs=10V 40 1460 D2PAK IRL3102 61 10 89 0,013 at Vgs=7V 20 2500 TO-220Если найдете другие названия, сообщайте здесь, добавим в таблицу.
MOSFET'ы с экстремально низким сопротивлением канала
- Автор
- Сообщение
-
Не в сети
- эксперт
- Сообщения: 10367
- Стаж 11 лет 7 месяцев
MOSFET'ы с экстремально низким сопротивлением канала
MOSFET'ы с экстремально низким сопротивлением канала RDS(ON) и их основные параметры. Данные в таблице - справочные, уточняйте в спецификациях.