так что вы изобретаете? преобразователь для вспышки или питатель для сетевой лампы от аккума?tro писал(а):И при долговременной работе на нагрузку (лампочка 75Ватт на 220в) они начинали грется так, что понадобился небольшой радиатор.
Силовые транзисторы в сравнении: MOSFET, IGBT, биполярные...
- Автор
- Сообщение
-
Не в сети
- мастер
- Сообщения: 1035
- Стаж 11 лет 7 месяцев
- Откуда: RU, Crimea, Simferopol
Re: Силовые транзисторы в сравнении: MOSFET, IGBT, биполярны
-
Не в сети
- новичок
- Сообщения: 7
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Силовые транзисторы в сравнении: MOSFET, IGBT, биполярны
Ну мне же надо было этот преобразователь чем-то нагрузить, для отладки. А то вспышечный конденсатор так быстро заряжается, что в схеме осцилографом увидеть ничего не успевается. Вот паралельно впышечному конденсатору и была подключена лампочка. Схему настраивал так чтобы она на протяжении всего заряда (от 0в до 330в) работала в режиме неразрывных токов, чтобы выжать максимум мощности из влезающего в корпус вспышки трансформатора.
-
Не в сети
- мастер
- Сообщения: 1035
- Стаж 11 лет 7 месяцев
- Откуда: RU, Crimea, Simferopol
Re: Силовые транзисторы в сравнении: MOSFET, IGBT, биполярны
возвращаясь к спору Mosfet vs. биполяр
Название: Источники вторичного электропитания. Схемотехника и расчет
Автор: Гейтенко Е.Н.
Издательство: СОЛОН-ПРЕСС
Год: 2008
Страниц: 448
ISBN: 978-5-91359-025-1
Излагаются принципы построения источников вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры. Приводятся методики расчета основных элементов устройств электропитания: трансформаторов, выпрямителей, фильтров, стабилизаторов и преобразователей. Рассмотрены вопросы анализа динамических свойств устройств электропитания и их электромагнитной совместимости. Изложенные материалы иллюстрируются практически важными для проектирования схемами. Даны примеры расчета устройств электропитания с использованием элементов отечественных и иностранных производителей. Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием источников электропитания, преподавателей и студентов радиотехнических и телекоммуникационных специальностей.
7 глава - очень познавательно.
Название: Источники вторичного электропитания. Схемотехника и расчет
Автор: Гейтенко Е.Н.
Издательство: СОЛОН-ПРЕСС
Год: 2008
Страниц: 448
ISBN: 978-5-91359-025-1
Излагаются принципы построения источников вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры. Приводятся методики расчета основных элементов устройств электропитания: трансформаторов, выпрямителей, фильтров, стабилизаторов и преобразователей. Рассмотрены вопросы анализа динамических свойств устройств электропитания и их электромагнитной совместимости. Изложенные материалы иллюстрируются практически важными для проектирования схемами. Даны примеры расчета устройств электропитания с использованием элементов отечественных и иностранных производителей. Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием источников электропитания, преподавателей и студентов радиотехнических и телекоммуникационных специальностей.
7 глава - очень познавательно.
Re: Силовые транзисторы в сравнении: MOSFET, IGBT, биполярны
У меня в схеме импульсный ток не "в разы", а тот, который я задаю! Пиковый ток импульса в силовом ключе ограничен схемотехнически на уровне 3,5-4А, что дает мне в течении всего времени заряда средний ток потребления от аккумуляторов 1-1,3А.tro писал(а):Это недобор. Если пропускать через него 48А то грется он будет на 65Ватт. А при 10А уже 3 Ватта. А учитывая то, что импульсные токи транзистора будут в разы больше, то при потреблении 5А одного такого транзистора будет хватать впритык.boras писал(а):48-ми амперный транзистор? Для схемы с рабочим током не превышающим 5А? Это перебор!.sa137 писал(а):я бы для такого применения брал бы IRFZ44. сопротивления канал 0.028 в сравнении 0.07!
Несмотря на небольшую величину тока, при напряжении питания преобразователя 12-15 вольт, заряд конденсатора ёмкостью 1300мкФ до 310 В происходит, соответственно, за 4,5-3,5сек.
К тому же, 75 Вт для этих целей и не нужно. Достаточно 15-20 Вт в время заряда конденсатора. При такой мощности, при грамотном проектирование преобразователя, вышеуказанный транзистор практически не греется, но "на всякий пожарный", сбрасываю "тепло" на корпус преобразователя! Привычка!!!
Отсюда вывод. Применение транзисторов с рабочим током 48А не оправдано.
Если вы сможете за счёт примениения вашего 48-ми амперного транзистора повысить КПД хотя бы на процент-полтора, то сообщите!sa137 писал(а): почему ?? разница в цене копейки. за которые вы "купите" лишние 20-30% кпд преобразователя !! на мой взгляд это стоит того.
Шутник, блин! На 20-30%...
Такая заява говорит только о том, что вы плохо ориентируетесь в теме!