Схема работает аналогично предыдущей. Резистором RV1 регулируется частота вспышек, т.е. скорость нарастания напряжения на конденсаторе C2. Когда напряжение на C2 достигает величины напряжения пробоя динистора D1, он открывается. конденсатор C2 разряжается через динистор на управляющий электрод тиристора и, соответственно, открывает симистор/тиристор TR1. Происходит поджиг. Далее цикл заряда и разряда C2 повторяется с частотой, определяемой величиной R1, C2 и RV1.
В описании указан диапазон частот 2-20 Гц. Уменьшить частоту до 0,2 Гц (т.е. одна вспышка за 5 секунд) можно, увеличив ёмкость C2, но проще увеличить R2 в 10 раз, до 1 М.
На месте симистора TR1 можно поставить также MCR100-6, MCR100-9 и другие. конденсатор C1 может быть неполярным на 1-4 мкФ 400-630В.
