Buff Einstein 640

Изучаем устройство вспышек, моноблоков и генераторов (power pack) и устраняем неисправности
  • Автор
  • Сообщение
Не в сети
коллега
Сообщения: 18
Стаж 11 лет 6 месяцев

Buff Einstein 640

Непрочитанное сообщение karam » 7 окт 2012, 22:43

Вышел дым из Paul C Buff Einstein 640, при разборе выяснилось что сгорел транзистор HGT1S20N60C3S 600V / 45A и предохранитель 0.050 OM, поиск такого транзистора ничего не дал нашел только такой:IRG4BC40F 600V / 49A.
Вопрос подойдет ли данный транзистор IRG4BC40F вместо HGT1S20N60C3S ?

Добавлено модератором:

Изображение Изображение Изображение
EinsteinE640
Макс. энергия разряда: 640 Дж
Питание: от 40 до 265 В, 50/60 Гц
Температура цвета: 5600ºK (+/- 50°К)
Регулировка: 9 ст. диафрагмы с шагом в 1/10 f
Длительность импульса (t0,5): от 1/2000 сек. до 1/27000 сек.
Импульсная лампа: MAXFT12MMUV, 5600°K
Пилотная лампа: 250 Вт, 120В
Байонет : Einstein
Размеры: 17,8 x 13,7 x 19,8 см
Вес: 1,95 кг


Промежуточная плата Inter PCB (PCB-0174). Сторона A, сторона B и черновик схемы:

Изображение Изображение Изображение

Плата с IGBT-транзисторами и конденсаторами (E321638). Сторона A, сторона B и черновик схемы:

Изображение Изображение Изображение

Плата питания. Сторона A, сторона B:

Изображение Изображение

Плата управления PCB (PCB-0174). Сторона A, сторона B:

Изображение Изображение

Не в сети
эксперт
Сообщения: 10367
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Paul C. Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение Impulsite » 7 окт 2012, 22:43

Транзистор IRG4BC40F заметно "слабее", чем HGT1S20N60C3S. Хотя можно попробовать поставить два IRG4BC40F параллельно с соответствующей развязкой затворов.
Замену HGT1S20N60C3S подберите здесь: viewtopic.php?f=28&t=47 или на сайтах производителей IGBT-транзисторов, ориентируясь по напряжению на затворе 20 Вольт и импульсному току 300 Ампер.

И большая к Вам просьба, отснимите с хорошим разрешением внутреннее устройство этой вспышки, как можно подробнее. Особенно тщательно платы с обеих сторон. Транзисторы HGT1S20N60C3S не дефицит, имеются в продаже, так что знание устройства Einstein 640 кому-то позволит повторить схему для личного пользования.

Перед заменой транзистора продиагностируйте также драйвер IGBT-транзистора. Надо выяснить, что было причиной неисправности.

Не в сети
коллега
Сообщения: 18
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Paul C. Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение karam » 24 ноя 2012, 16:04

К сожалению, не удалось собственными силами отремонтировать вспышку, отдал одному мастеру на ремонт. Посмотрим, что получится.

boras

Re: Paul C. Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение boras » 24 ноя 2012, 19:47

Можно попробовать транзистор: IRG7PSH73K10PBF,IGBT 1200В 220А Super247. Его паспортные данные: IRG7PSH73K10.

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Paul C. Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 26 ноя 2012, 17:40

всё равно не верится да и не может быть чтоб через HGT1S20N60C3S разряжали ёмкость в 640 Ws :P

Не в сети
эксперт
Сообщения: 10367
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Paul C. Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение Impulsite » 26 ноя 2012, 18:21

Если бы karam предоставил фотографии плат, мы бы точно знали что и для чего служит.
Чтобы резать импульс, не обязательно пропускать ток лампы через транзистор. Можно растянуть импульс лампой с большим динамическим сопротивлением (или используя дроссель посредовательно с лампой) и транзистором резать "хвост" импульса, подключая транзистор параллельно лампе, когда ток через лампу меньше пикового.

Не в сети
новичок
Сообщения: 9
Стаж 11 лет 5 месяцев

Einstein E640 inside

Непрочитанное сообщение alexander_s » 8 фев 2013, 13:12

Хочу перетащить с сайта фотографов на ваш форум электронщиков, а то тему засыпали транзисторами. :roll:

компакт. короткоимп. свет EINSTEIN 640 на форуме Клуб стоковых фотографов и иллюстраторов

Не в сети
эксперт
Сообщения: 10367
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Einstein E640 inside

Непрочитанное сообщение Impulsite » 8 фев 2013, 13:24

Снимки могут служить примером как следует фотографировать платы вспышек. Благодарю доброго человека, нашедшего время для съемки внутренностей исправного Einstein E640.

Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение

Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение

Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение

Еще несколько фотографий другого случая аварии с моноблоком E640. Благодарю владельца моноблока за присланные снимки.

Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение

Не в сети
коллега
Сообщения: 22
Стаж 11 лет 5 месяцев

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение ka_ru » 8 фев 2013, 21:22

как то люди забыли про время включения / выключения транзистора.
Вопрос к автору. Как сгорел транзистор в КЗ или в обрыв?

Замену нужно произвести только таким.
Если будете ставить аналог, то менять надо все транзисторы.

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 9 фев 2013, 00:22

Автор темы дааавно залёг на дно. Очень интересовало какие IGBT стоят в Einstein 640 и как выдерживают 600 Ws. Нашёл фотку и оказывается запараллелены восемь штук. Когда ставил опыты с разрядом через IGBT, все с резисторами на управлении, запараллелил 10 штук и толку никакого. Умирали по одному, по одному, а потому, что закрываются, когда им вздумается, а не синхронно. Знающие люди объяснили, что никогда не получится с запараллеленными. Но вот тебе в Einstein 640 так и сделано. Правда, изредка, видимо, тоже умирают, как и у автора. Есть желание повторить опыт на этих же транзисторах, если раздобуду, да вот терзают сомнения что получится что-то. Есть тут какой-то секрет?

Изображение

Не в сети
коллега
Сообщения: 22
Стаж 11 лет 5 месяцев

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение ka_ru » 9 фев 2013, 10:35

секрет в этих самых низко-омных сопротивлениях и подборе транзисторов.
Я раньше такое делал когда надо было подключить несколько мощных БП параллельно.

boras

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение boras » 9 фев 2013, 12:08

IURII писал(а):Есть желания повторить опыт на этих же транзисторах если раздабуду да вот терзают сомнения что получится что-то .Есть тут какой-то секрет,??
https://impulsite.ru/ctlg/buff/e640/2556.jpg
Конечно есть! Резисторы в цепи эмитера(?) и..., возможно, где-то припрятана RCD-цепочка, забирающая на себя энергию фронта выключения.
Но, вы правы! Обеспечить идеально синхронную работу параллельно включенных биполярных(!) транзисторов в импульсной силовой схеме невозможно!
P.S. На пОлевых транзисторах эта проблема решается проще. Как правило, они могут работать параллельно в импульсном режиме.

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 9 фев 2013, 18:34

От эмитера к затвору были сопротивления правда не помню номинал ( а какой должен быть) .RCD цепочка как понимаю
это нагрузка паралельно лампе и какойто ток должен утекать на нагрузку в момент закрывания IGBT/ Так на это сопротивление не должно утекать опять через те же IGBT в другой группе которых тоже должно быть несколько и опять запаралеляны ? Будем ждать фоток от impulsite/ Обещал что выложит
karam писал(а): сгорел транзистор HGT1S20N60C3S 600V / 45A и предохранитель 0.050 OM, поиск такого транзистора ничего не дал
Это старое название транзистора а нынешнее здесь http://www.t-way.ru/article.asp?article ... ID=1734166

Не в сети
эксперт
Сообщения: 10367
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение Impulsite » 9 фев 2013, 19:36

IURII, это не "старое название". Это название того же самого IGBT-транзистора, но в другом корпусе. Откройте спецификацию на HGTG20N60 и познакомьтесь с ним поближе. :) Ссылка.

Фотографии плат моноблока Buff Einstein E640 выложены здесь: viewtopic.php?p=9182#p9182

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 9 фев 2013, 19:50

И в каком же корпусе HGT1S20N60C3S9A ?

Не в сети
эксперт
Сообщения: 10367
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение Impulsite » 9 фев 2013, 22:19

HGT1S20N60C3S - TO-263AB
HGTG20N60C3 - TO-247
HGTP20N60C3 - TO-220AB

Изображение

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 10 фев 2013, 00:38

http://www.fairchildsemi.com Укажите хоть одно упоминание о них. Я не нашёл кроме с новым названием . Выше написали что HGT1S20N60C3S9A тоже самое но в другом корпусе - и каком -же ? Вот все IGBT UFS series
http://www.fairchildsemi.com/search/tre ... Btn=search

Не в сети
эксперт
Сообщения: 10367
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение Impulsite » 10 фев 2013, 01:38

IURII, наверное, Вы видите заметную разницу между транзистором HGT1S20N60C3S, котором сообщил karam, и вашим транзистором HGT1S20N60C3S9A. Разъясните нам, пожалуйста, в чём они отличаются? И почему Вас так волнуют устаревшие транзисторы, выпущенные еще в 2001 году? Может быть Вы бы потратили это время на выборку современных заменителей?

И прошу Вас быть готовым к тому, что в понедельник все ваши "сомнения" касательно транзисторов я перенесу отсюда в вашу тему: IGBT в цепи разряда конденсатора на лампу - там они будут уместны.

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 10 фев 2013, 01:51

Раз Einstein 640 собирают с этими транзисторами то производитель видит смысл в этом. Думал найти и прикупить именно
их для своих пока тестов на вспышке с напряжением до 600 вольт. Как порылся на оф. сайте - так ничего и не нахожу.
Разницы между транзисторами нет, они 263, а её вы увидели раз написали (IURII, это не "старое название". Это название того же самого IGBT-транзистора, но в другом корпусе.) В каком другом если в том-же 263?

Не в сети
коллега
Сообщения: 22
Стаж 11 лет 5 месяцев

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение ka_ru » 10 фев 2013, 13:28

Смысл у них один. Добиться заявленных параметров при минимальных затратах.
Один транзистор в импульсном режиме(250мс) может выдержать 300А.
Мне с трудом вериться что транзистор так долго включается.
Чтобы ограничить ток стоят эмиттерные сопротивления.
В базе стоит пуш-пил драйвер и Rg. Я волшебства не вижу.

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 10 фев 2013, 13:51

Эти сопротивления ничего не ограничивают, они предохранители в случае вылета одного транзистора сгорает и он и вспышка дальше работает на семи потом на шести транзисторах. Вопрос и тайна в другом как сделать почти невозможное чтоб параллельные IGBT не умирали поочерёдно. Причина описана по выше - не закрываются они одновременно. Потому тот что запоздал и перегорает. Вот в чём проблема. И вылет транзистора у автора темы тому и подтверждение- не надёжно с параллельными IGBT! Но вероятно можно подбирать, тестируя и заменяя умирающий на другой, потом следующего мертвеца опять заменить и так тестить и заменять, пока не окажутся все одинаковыми.


Не в сети
коллега
Сообщения: 224
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 10 фев 2013, 18:12

Схема это хорошо. Но кто-то может сказать принцип работы IGBT здесь. Они находятся при включении вспышки всегда в открытом состоянии, при поджиге они проводят и закрываются и опять открываются. Или открываются одновременно с поджигом. По моему первый вариант более щадящий. И не нужны сопротивления к каждому транзистора от эмитера на управляющий для надёжного запирания. В моих попытках так и применил десять транзисторов, регулировка шла даже от минимума в пару джоулей но по одному умирали. Не было только предохранителей резисторов 0,05 ом. И транзисторы были из этой - же серии UFS HGTG40N60B3 на 330А в пике. Этот транзистор прекрасно живёт в старой SB-25. Правда в ней нет HSS. Не знаю как поведёт себя при таком HSS стробе. Может кто чего подскажет.

Не в сети
коллега
Сообщения: 22
Стаж 11 лет 5 месяцев

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение ka_ru » 10 фев 2013, 20:14

Обратите внимание на схему.
Стоят UFS транзисторы, а в затворе 20 Ом резисторы 1%.
Зачем? Можно было поставить и 3 Ома.

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
Стаж 11 лет 6 месяцев

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 10 фев 2013, 20:31

Нигде не нашёл, что означает UFS относительно этих транзисторов, Ulta Fast что ли ?
Ответить

Вернуться в «Студийные вспышки, вопросы по ремонту и схемы»