IGBT транзисторы

Краткое описание и другие справочные сведения. Обсуждение возможных замен.
  • Автор
  • Сообщение
Не в сети
мастер
Сообщения: 591
На форуме с 26 сен 2012, 12:06

IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение Виктор Гелис » 27 сен 2012, 15:57

IBGT - Insulated Gate Bipolar Transistor или в русской транскрипции: БТИЗ - Биполярный Транзистор с Изолированным Затвором.
Рекомендации ф. Fairchild по применению IBGT-транзисторов во вспышках:
IGBT Application Note For Camera Strobe (AN-9006).
Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми полевыми транзисторами, PDF, 0,7M.
Драйверы IGBT-транзисторов.
Как проверить IGBT и MOSFET транзистор.

Отдельно "Оригинальные IGBT транзисторы и подделки" - примеры перемаркированных транзисторов.

Изображение Примеры нестандартной замены и размещения крупногабаритных транзисторов: http://impulsite.ru/viewtopic.php?p=20103#p20103.

Полезен для ознакомления общий каталог ф. RENESAS по транзисторам, тиристорам, диодам, симисторам и тиристорам: Renesas Discrete General Catalog. Размер файла 5,1 мб. Там имеется краткое описание выпускаемых компонентов, размеры корпусов, маркировка, области применения и т.д.. Может кому-то удобнее большой файл скачать с файлообменника на Яндексе: каталог Renesas Discrete 2012.
Подробная информация, включая спецификации (datasheets), на сайте Renesas по IGBT-транзисторам для фотовспышек: CY25AAJ, СY25CA, RJP4002, RJP4003, RJP4007, RJP4301, CT40KM
Также справочник по IGBT Toshiba: Toshiba IGBT catalog.pdf. Копия справочника на Народе: http://impulsite.narod.ru/parts/igbt/toshiba_igbt.zip
ka_ru писал(а):Они все сделаны по одной технологии: APT0201 -руководство по IGBT-транзисторам, PDF, англ. яз..
Копия руководства на Народе: APT0201 - IGBT Tutorial.

И, собственно, для чего это сообщение появилось. Разбирал папку со спецификациями на высоковольтные IBGT транзисторы и рассортировал их по [??v] - наибольшему напряжению на затворе (VGES) и [???a] - максимальному импульсному току (ICM). Также после указания типа транзистора может стоять трёхзначное число: [???v] - максимального рабочего напряжения (VCES). И далее отметка [Strobe], означающая, что данный IGBT используется во вспышках. К некоторым типам транзисторов приложены ссылки на спецификации.
Список, конечно, не полный, но при замене транзистора уже проще найти ближайший аналог. Использование IGBT-транзисторов отражено в "Таблице компонентов, встречающихся в различных вспышках".
Вот что получилось:
VGES	ICM	Наименование	VCES	Корпус	Применение 
4v	150a	CY25BAH-8F		TSSOP-8	Strobe (маркировка 25H8F)			
4v	150a	GT8G134			TSSOP-8	Strobe			
4v	150a	RJP4002ANS		TSSOP-8	Strobe
4v	150a	RJP4002ASA		TSSOP-8	Strobe (Yongnuo)
4v	150a	TIG065E8                        Strobe (маркировка ZE)	

6v	120a	RJP4006AGE		TSOJ-8	Strobe
6v	120a	STGB20NB37LZ		DPAK	
6v	130a	CT20ASJ-8	  	DPAK 	Strobe
6v	130a	CY20AAJ-8F		TSSOP-8	Strobe
6v	130a	FGS15N40L		SOP-8	Strobe
6v	130a	GT5G103		    	DPAK 	Strobe
6v	130a	GT5G131		 	SOP-8	Strobe
6v	130a	SGR15N40L__SGU15N40L			
6v	150a	AP28G40GEM-HF		SOP-8	Strobe
6v	150a	AP28G40GEO		TSSOP-8	Strobe (Meike)
6v	150a	CT25ASJ-8		DPAK	Strobe
6v	150a	CY25AAJ-8F		SOP-8	Strobe
6v	150a	CY25BAJ-8F		TSSOP-8	Strobe (маркировка 25J8F)
6v	150a	FGR15N40A			
6v	150a	GT8G103			DPAK	Strobe (METZ)
6v	150a	GT8G121			DPAK	Strobe
6v	150a	GT8G131			SOP-8	Strobe
6v	150a	GT8G132		    	SOP-8	Strobe
6v	150a	GT8G133			TSSOP-8	Strobe
6v	150a	RJP4003ANS		VSON-8	Strobe
6v	150a	RJP4003ASa		TSSOP-8	Strobe
6v	150a	RJP4007ANS		VSON-8	Strobe 
6v	150a	RJP4009ANS		VSON-8	Strobe 
6v	150a	RJP4010AGE		TSOJ-8	Strobe 
6v	150a	RJP4013ASP		SOP-8	Strobe 
6v	150a	SGR20N40L			
6v	150a	TIG004			SOP-8	Strobe (Canon 20D)
6v	150a	TIG014TS			Strobe
6v	150a	TIG022TS mark G022	TSSOP-8	Strobe (маркировка G022)			
6v	150a	TIG030TS mark G030		Strobe (маркировка G030)
6v	150a	TIG052TS mark G052	TSSOP-8	Strobe (маркировка G052)		
6v	150a	TIG058E8              		Strobe (маркировка ZB)
6v	150a	TIG062E8              		Strobe (маркировка ZC)		
6v	150a	TIG064E8              		Strobe (маркировка ZD)		
6v	150a	TIG066SS              		Strobe (маркировка TIG066)		
6v	160a	SGU20N40L	     DPAK, IPAK			
6v	200a	GT10G131			Strobe

15v	50a	NGB8206N-D			
15v	50a	NGD15N41CL-D		DPAK	
15v	50a	NGD8201N-D			
15v	50a	NGD8205N-D			
15v	52a	IRG4BC20UD-S			
15v	130a	CT20ASL-8			Strobe
15v	130a	CT20VML-8			Strobe
15v	130a	CT20VSL-8			Strobe

17v	300a	RJP5001APP	500v   TO-220FN Strobe (Nikon SB-900, -910, Canon 600EX-RT)
20v	44a	IRG4RC20F		DPAK	
20v	60a	CT30SM-12			
20v	62a	SKX15N60			
20v	64a	BUP213			
20v	80a	HGTP20N60C3R			
20v	80a	STGP20NB60K-STGW20NB60K			
20v	80a	STGW20NB60KD			
20v	82a	IRG4PH40U			
20v	92a	IRG4BC30U			
20v	92a	IRG4PC30U			
20v	96a	HGTG12N60A4D			
20v	96a	TG12N60			
20v	96a	TP12N60
20v	100a	STGP20NC60V 	600v	TO-220
20v	100a	STGW20NC60V 	600v	TO-247			
20v	108a	FGP30N6S2D			
20v	110a	HGT1S12N60B3DS	600v		
20v	120a	IRG4BC30F	600v		
20v	120a	IRG4BC30FD	600v		
20v	120a	IRG4BC40S	600v		
20v	120a	IRG4PC30F	600v		
20v	120a	IRGB30B60K	600v	TO-263	
20v	130a	GT20G102	400v		Strobe
20v	150a	GT25G102	400v		Strobe
20v	160a	IRG4BC40U	600v		
20v	160a	IRG4BC40W	600v	TO-220AB 	
20v	160a	IRG4BC40W-L	600v	TO-262 	Strobe (Metz 58, Metz 48)
20v	160a	IRG4BC40WS	600v	TO-263	
20v	160a	IRG4PC40U	600v		
20v	160a	IRG4PC40UD	600v		
20v	160a	IRG4PC40W	600v		
20v	160a	STGP20NB60H	600v		
20v	180a	IRG4PH50U	1200v 	TO-247		
20v	180a	IXGT45N120	1200v		
20v	196a	IRG4P254S	250v		
20v	200a	IRG4BC40F	600v	TO-220AB	
20v	200a	IRG4PSC71U	600v		
20v	200a	IRG4PSC71UD	600v
20v	204a	IRG4PF50W	900v 	TO-247			
20v	220a	HGTG30N60B3D	600v 	TO-247		
20v	220a	IRG4PC50U	600v	TO-247	
20v	220a	IRG4PC50W	600v	TO-247	
20v	220a	STGW40NC60V	600v	TO-247	
20-30v	300a	IRG7PSH73K10PBF	1200v	Super247	
20v	280a	HGT4E20N60A4DS	600v		
20v	280a	HGTG20N60A4	600v	TO-247 / HGTP20N60A4_600v	
20v	280a	IRG4PC50F	600v	TO-247	
20v	300a	HGT1S20N60C3S	600v	TO-263	Strobe (Einstein E640)
20v	300a	HGTG20N60C3_DS	600v	TO-247	
20v	300a	HGTP20N60C3	600v	TO-220	
20v	300a	HGTG40N60C3	600v	TO-247	
20v	300a	IRG4PC60U	600v		
20v	300a	IRGP4066	600v		
20v	300a	IRGP4066D1	600v		
20v	300a	IXGA48N60A3	600v	TO-263	
20v	300a	IXGP48N60A3	600v	TO-220	Strobe (Godox TT600, TT680, TT685)
20v	300a	IXGH48N60A3	600v	TO-247	
20v	340a	IXGQ90N27PB	270v		
20v	400a	STGE200NB60S modul			
20v	400a	STGW50NB60H			
20v	400a	STY100NS20FD			
25v	120a	CT60AM-18F			
25v	120a	CT90AM-18			
25v	120a	GT60J323			
25v	120a	GT60M303	900v		
25v	130a	GT20G101	400v		Strobe
25v	170a	GT15G101	400v		Strobe
25v	170a	GT25G101(SM)	400v		Strobe
25v	170a	GT25G101	400v		Strobe
25v	372a	STY112N65M5	710v		

30v	130a	CT20AS-8	400v	DPAK	Strobe
30v	130a	CT20TM-8	400v	TO-220F	Strobe
30v	130a	CT20VM-8	400v		Strobe
30v	130a	CT20VS-8	400v		Strobe
30v	150a	CT25AS-8	400v	DPAK	Strobe
30v	160a	IRG7R313UPBF	330v !		PDP Trench
30v	180a	CT30TM-8	400v	TO-220F	Strobe
30v	180a	CT30VM-8	400v	TO-263	Strobe
30v	180a	CT30VS-8	400v	TO-220S	Strobe
30v	200a	CT35SM-8	400v		Strobe
30v	200a	CT40KM-8H	400v   TO-220FN Strobe
30v	200a	CT40TMH-8	400v	TO-220F	Strobe
30v	200a	RJP63F3A	600v	TO-220F - как замена RJP4301 и CT40KM - не рекомендуется. Примечание.
30v	200a	RJH60D7DPK	600v	TO-247	Inverter
30v	205a	IRGB4065	300v !		
30v	220a	IRG7PC28U	600v	TO-247	
30v	225a	IRG7SC28U	600v	D2Pak, TO-263AB	
30v	250a	RJP30E3DPP-M0	360v	TO-220FL	
30v	250a	IRG6S330UPBF	330v !	DPAK	
33v	200a	RJP4301APP	430v   TO-220FN Strobe 
33v	240a	TIG056BF	430v   TO-220FN Strobe
VGES	ICM	Наименование	VCES	Корпус	Применение 
Изображение
чем больше ёмкость затвора, тем получается лучше. На IRG4PF50W - 6,8 nF, который сгорел от перегрузки, 2 транзистора IRG4BC40W( C=8,27 nF), на китайских RJP5001 и TIG056 по 2 nF. У транзистора СТ40КМ (оригинальный из Nikon SB800) C= 5,7 nF
Ёмкость затвора полевого транзистора, так же как и затвора IGBT - это негативный параметр. Чем больше ёмкость, тем медленнее заряжается затвор, тем медленнее переключается транзистор. А если при больших токах транзистор "задумчив", то переход "сток-исток" у MOSFET или переход "коллектор-эмиттер" у IGBT может успеть перегреться и даже сгореть. Поэтому стараются в производстве IGBT уменьшать ёмкость затвора. А в эксплуатации принимают все меры, чтобы очень быстро заливать затвор энергией (для включения транзистора) и также быстро разряжать его (для вЫключения транзистора).

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9385
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение Impulsite » 27 сен 2012, 15:58

Примеры нестандартной замены CT40KM, RJP4301, TIG056 и т.п. и размещения крупногабаритных транзисторов.

Вместо одного IGBT типа CT40KM, RJP4301, TIG056BF можно поставить
  • один более мощный транзистор, с импульсным током ICM=300 А и выше
  • или параллельно два одинаковых по параметрам IGBT-транзистора типа IRG4BC40U (IRG4BC40W, IRG4BC40F) - транзисторов на 160-200 А, с резисторной развязкой затворов. Коллектор с коллектором, эмиттер с эмиттером, а вот затворы разделены резисторами Ra, Rb от 4,7 Ом до 22 Ом и защищены стабилитроном на 17-20 Вольт:
Изображение

Изображение

Изображение
Примеры в схемах:
http://impulsite.narod.ru/buff/e640/003.png
http://impulsite.narod.ru/yongnuo/yn467/yn467dis.png
Резисторная развязка затворов служит для выравнивания потенциалов затворов и токов коллекторов и как один из путей подавления паразитных колебаний при параллельном включении MOSFET и IGBT транзисторов.
http://www.kit-e.ru/articles/powerel/2005_8_134.php
http://www.power-e.ru/pre_67_4_13_igbt_pl_igbt.php
http://www.rlocman.ru/review/article.html?di=144276
и ещё гуглим.

При следующих заменах не потребуется разбирать вспышку полностью, если новый транзистор в типоразмере TO-247 ставить на удлиняющих проводах и разместить его в нижнем объёме вспышки, над ногой. Там, вроде бы, достаточно места. И, в отличие от обычного размещения, будет меньше нагрев транзистора теплом от батареи. Увеличение температуры кристалла транзистора приводит к существенному уменьшению максимального допустимого тока через транзистор. По графикам для постоянного тока при температуре 100°С допускаемый ток почти в два раза меньше, чем при 25°С. И перегрев транзистора при интенсивной съёмке без пауз на остывание - самая частая причина поломок вспышек.
На проводах обязательно сделать пометки "база", "коллектор", "эмиттер" и, конечно, после пайки тщательно изолировать открытые токоведущие проводники.
timpul писал(а):Места над ногой достаточно, только как закрепить, чтобы не болтался
Надо подумать. Ну, можно, например, зажать изолированные выводы чем-то эластичным, что-то типа микропористой резины или изоплена, но так, чтобы собственно корпус транзистора "висел в воздухе", мог проветриваться. Или прижать транзистор его теплоотводной (задней) стороной к стенке вспышки, там, где такая возможность имеется. Тогда можно ожидать, что улучшится теплоотдача в атмосферу.


Ниже цитаты из разных тем форума с комментариями по замене транзистора.
  1. viewtopic.php?p=26680#p26680
    photocanon писал(а):Пациент: Canon 580EX II

    Изображение

    ... RJP4301 поменял на RJP5001 с понижением питания стабилитроном.
    Свежак RJP5001 и дохлик RJP4301, видно что текстура и маркировка идентичная:

    Изображение

    Вот место куда стабилитрон втыкать:

    Изображение
  2. viewtopic.php?p=17871#p17871
    Impulsite писал(а):Да, менять.
    Кстати, можно было бы, не дожидаясь пока приедет заказанный CT40KM, RJP4301, TIG056 или RJP63F3A, попробовать какой-то из доступных в местных магазинах IGBT-транзисторов с управляющим напряжением на затворе до 20 Вольт. Список здесь: viewtopic.php?f=28&t=47. Но при замене поставить между эмиттером и затвором дополнительно стабилитрон на 18-20 Вольт. Вот так:

    Изображение
  3. viewtopic.php?p=11650#p11650
    Utif писал(а):
    В общем, поменял транзистор, запустил вспышку. Как и на что менял, видно из рисунка.

    Транзистор выбрал ultrafast на 900V: IRG4PF50WD. По цене одинаково с F и U серией на 600V, потому решил брать самый крутой вариант. Корпус транзистора пришлось пилить(видно на фото). Спасибо всем, кто принимал участие в решении проблемы! :)

  4. viewtopic.php?p=5373#p5373
    zerr писал(а):
    Да особенного ничего нет. Корпус IRG4PF50W - TO247.
    1) Зажал верхнюю часть корпуса в тиски.
    2) Взял ножовку и отпилил так, чтобы не затронуть часть корпуса ниже отверстия.
    3) Согнул ноги (расстояние в 2 раза больше , чем у TO220 плюс наклон и и смещение относительно монтажных отверстий).
    4) Двигатель оказался впритык, но все сошлось. Изначально хотел ноги отрезать до самых утолщений и сделать новые из моножилы, чтобы еще дальше сдвинуть к краю платы.
    Заменил проводку от блока управления до головы, залил места пайки термопистолетом. Вспышка работает во всех режимах, TTL работает.

    Да, еще забыл сказать, что заменил стабилитрон 20-вольтовым.

    Насчет точности TTL ничего определенного сказать не могу - в уже собранном состоянии она не пробыла у меня и нескольких часов.
  5. viewtopic.php?p=400#p400
    kulibin33 писал(а):Поставил в замен IRG4PH50U выводы перегнул, уменьшил в диаметре, верхнюю часть до отверстия отпилил.
  6. viewtopic.php?p=20503#p20503
    MAX10 писал(а):Вспышка заработала. Отработала подряд 10 пыхов в темноту с паузой 10 сек. Фотиком нормально управляется.
    Заменил ёмкость C8, объединил сопротивления 56 Ом. Установил транзистор HGTG30N60 он гораздо больше.
    На место старого транзистора поставил штырьки от сопротивления. Транзистор положил боком около трансформатора.
    К сожалению вспышку тут же отобрали для работы. Успел сделать только снимки платы преобразователя с проводами и фото проводов в башмаке. И забыл убрать провод намотанный на лампе. Фото позже выложу.
    Спасибо за помощь. :D
  7. viewtopic.php?p=14232#p14232
    lioby писал(а):G4BC40W-L заменил на G4PC50F, какой уж нашел, смотрел по характеристикам,
    часть корпуса транзистора пришлось отпилить. http://lio.by/foto/lio.by.metz48.jpg



    Цветовая температура пыха и мощность поменялись, но совсем незначительно. Полтора года работает нормально.
    Провода, толстые красный и черный, в желобках должны быть
  8. viewtopic.php?p=12506#p12506
    Lisiy52 писал(а):разорвало транзистор CT25J. Остальное визуально целое.
    Заменил транзистор на IRG4BC40UBT,..
  9. viewtopic.php?p=12615#p12615
  10. viewtopic.php?p=18108#p18108
    victor.k писал(а):Заменил транзистор. Поставил стабилитрон BZX55.
    Замыкание между анодом и катодом SCR2 отсутствует. Пока не включил. Так смонтировал. Не уверен, что ножка стабилитрона не будет касаться металла крепления корпуса, при сборке экран должен защитить (или бумажку проложу).
    Можно включать?! ;)

    Изображение
  11. viewtopic.php?p=13982#p13982
    duron писал(а):Поставил IRG4PC50U, драйвер MAX4420. Стабилитрон заменен на 18в, в питание драйвера добавлен электролит на 4,7 мкф. Резистор на 22 Ома между плечами драйвера заменен на перемычку. Вспышка ожила, пока тестирую в усиленном режиме.
    Спасибо за отличный форум, очень помогли.
  12. viewtopic.php?p=15127#p15127
    jadreamer писал(а):... поискать менее габаритные аналоги диодов и особенно транзистора - взял IRG4PH50U - не посмотрел предварительно по размерам (не ожидал такой подставы) - он раза в два оказался больше родного! ...
    Ну и пара фото (с проделанной работой и огромным транзистором):

    Изображение Изображение
  13. viewtopic.php?p=19369#p19369
    albano1967 писал(а):
    Новая YN568EX II отработала кадров пятьдесят в обычном режиме и ОДИН кадр в HSS, после чего стала вспыхивать только на максимуме. В мүльти режиме первая мощная вспышка и легкое мерцание в последующих.
    Вскрыл, выпаял IGBT, который с маркировкой TIG056 оказался пробитым.
    Вместо него поставил IRG4PC50U. Стабилитрон на 18 Вольт ставить не стал. Так как сей транзистор имеет внушительные габариты, впаял три провода сверху платы, к ним транзистор (выводы обрезал до их утолщения). Места пайки за изолировал термоусадкой, а сам транзистор каптоновой лентой.
    Проложив провода поверх платы, расположил транзистор в районе башмака, рядом с трансформатором.
    Погонял вспышку в HSS на 1/320. Кадров двадцать сделал - все отлично. Потом сели несвежие аккумуляторы и я угомонился.
    Стоит ли впаять стабилитрон и какой? У меня завались на 16в и 18в. В даташите IRG4PC50U вот чего написано: VGE=15V, IC=27A.
  14. viewtopic.php?p=19371#p19371
    impulsite писал(а):
    Да, лучше, если затвор будет защищён стабилитроном, хотя бы BZX55C на напряжение 17...20 Вольт.
    G - gate, затвор.
    C - collector, коллектор.
    E - emitter, эмиттер.

  15. viewtopic.php?p=20704#p20704
    impulsite писал(а):Рекомендуемые изменения под замену IGBT транзистора на типы IRG4BC40, RJP5001, HGTP20N60C3, IRG4PC50 с применением драйверов IR4427S или IR4428S:

    Изображение
  16. viewtopic.php?p=14243#p14243
    eris413 писал(а):Что я сделал.
    Выполнил рекомендации duron на все 100%.
    Транзистор IT101 (RJP4301) поменял на IRG4PC50U. Микросхему U107 (TC4432C) заменил на MAX4420. У неё между 6 и 7 ногами поставил перемычку вместо резистора. 30 вольтовый стабилитрон D104, заменил на 18 вольтовый. В параллель С109 добавил на 4,7 мкФ.
    Кроме этого, как рекомендовал impulsite, сгоревшие резисторы R146-R147 заменил на обычный резистор 10 кОм 0,5 Ватт. К нему пришлось припаять провода и вывести под плату, так как с верху платы не было места. То же самое я проделал и с электролитическим конденсатором 4,7 мкф. Повозиться пришлось и с транзистором IRG4PC50U, так как он больше почти в 2 раза и не помещался в корпус. Пришлось подгибать и подпиливать ножки. Даже припой купил ПОС-61.
  17. viewtopic.php?p=24808#p24808
    stealthx писал(а):Решил поделиться результатами замены RJP4301... Подобрал из доступного IRGP4066D-EPbF. Так же установил стабилитрон на 18 вольт... обточил центральную ножку, боковые срезал и зафиксировал на них стабилитрон. Боковые контакты соединил маленькими кусочками многожильного провода, предварительно изогнув.

    Изображение Изображение
  18. viewtopic.php?p=24817#p24817
    impulsite писал(а):Добавлю ещё один вариант установки уже проверенного ранее транзистора IRG4PC50W в корпусе TO-247, но с минимумом механической работы.
    Изображение Изображение
  19. viewtopic.php?p=25041#p25041
    Lumiere писал(а):Заменил на IRG4PF50W (на фото видно как пришлось их выгибать, чтоб поместились). Также поставил стабилитроны на 16V.
    Работают уже 3 месяца без сбоев, в то время как на оригинальных иногда срабатывала тепловая защита (люблю жечь ага :) ). Субъективно мне кажется что время перезарядки даже меньше стало, но возможно это просто радость от удачного ремонта.

    Изображение Изображение Изображение
  20. В Сигме (как, впрочем, и во многих других вспышках) такой большой транзистор можно и попроще, без слесарных работ, разместить в пазухе на удлиняющих проводах:
    viewtopic.php?p=15072#p15072
    Maxim Sed писал(а):Вот так выглядит установка транзистора IRG4PC50 (корпус TO-247):

    Изображение Изображение
  21. viewtopic.php?p=6589#p6589
    haiduk писал(а):Ремонтировал 580EX II, был пробит IGBT, заменил на IRG4PC50U, кстати поместился на штатном месте, только боком и соединением ног проводами.
  22. viewtopic.php?p=18151#p18151
    slavjan писал(а):Сгорела у знакомого Canon 580EX , пробило управляющий транзистор, который СТ40КМ. В Sigma 500DG Super помогал транзистор IRG4BC40F с импульсным током 200А, а вот в Canon 580EX пробило через 2-3 пыха на полную мощность. Решил попробовать IRG4PC50F с импульсным током 280А, работает. Но размер в два раза больше, пришлось приделать так:

    Изображение
  23. viewtopic.php?p=6958#p6958
    Kuzmick писал(а):Замена IGBT транзистора на IRG4PC50U (за неимением другого)

    Изображение
  24. https://vk.com/wall1789638?offset=20&own=1
    Konstantin Shpakov писал(а):Благодаря обитателям упомянутого форума я смог починить вспышку потратив всего 210 р. на новый IGBT транзистор. Новая деталька оказалась в полтора раза крупней, но в корпус вспышки Yongnuo YN-560 III влезла легко и непринуждённо (туда ещё вторую такую упихать можно). После перепайки и сборки вспышка работает, мощность регулируется, живём =)
    Изображение
  25. viewtopic.php?p=25103#p25103
    Multicat писал(а):крупный транзистор можно поместить в тесном объёме вспышки Canon 600EX-RT на удлиняющих проводах с соответствующей изоляцией открытых проводников. https://drive.google.com/open?id=0B0wi3 ... DZlMk0xYWM

    Изображение Изображение
  26. viewtopic.php?p=29640#p29640
    Вспышка Nikon SB-910. Замена IGBT типа RJP5001 на два параллельных транзистора IRG4BC40W по схеме №3 .
    stanislavsochi писал(а):https://yadi.sk/d/LfYw-s41O0TkTQ -замена транзистора на 2 шт. IRG4BC40WPBF

    Замена транзистора RJP5001 на IRG4BC40WPBF (2 шт. - желательно исключительно из одной партии) дала отличные результаты, вспышка работает даже очень хорошо. Ставил IRG4PF50W - он сгорел. 200 ампер для этой вспышки мало, нужно не менее 280 ампер (в корпусе TO-247). Самое главное, транзистор должен быть оригинальным. Транзисторы из Китая практически все подделка. RJP5001 оригинал от Renesas стоит в России около 600 руб..

    Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9385
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение Impulsite » 27 сен 2012, 15:58

Повреждённый IGBT-транзистор обычно проявляется тем, что вспышка во всех режимах срабатывает на полную мощность, в ручном режиме сила импульса не регулируется, в автоматических режимах (E-TTL, i-TTL, P-TTL и др.) обычно вспышка срабатывает, но в изображении освещение отсутствует, так как происходит преждевременно, хотя и в полную силу. Что подтверждается временем заряда, как после импульса на уровне 1/1.

Как проверить IGBT транзистор.
Обесточить вспышку, безопасно разрядить основной конденсатор (подробнее здесь), убедиться, что остаточное напряжение меньше 1-2 вольт. Далее, получив доступ к IGBT-транзистору, не выпаивая его из схемы, измерить сопротивление между коллектором (C) и эмиттером (E), а также между затвором (G) и другими выводами (цоколёвка). У исправного транзистора сопротивление между выводами обычно 75 кОм и больше, независимо от полярности щупов измерителя. Если сопротивление менее 1 кОм, то такой транзистор явно неисправен. Про такой транзистор говорят: "пробит", имеет КЗ (короткое замыкание), "сгорел".
Чтобы не повредить металлизацию отверстий, в которых запаяны выводы IGBT, следует выводы транзистора по очереди перекусить с помощью бокорезов и затем удалить пинцетом остатки, стараясь паяльником не перегревать чрезмерно отверстия и печатную плату.

Входной контроль исправности IGBT-транзистора.
В продаже нередко встречаются поддельные транзисторы, поэтому после покупки следует проверить работоспособность транзистора и, если есть необходимые приборы, то и основные параметры. Учтите, что многие магазины не принимают претензии по деталям со следами пайки.

http://radiokot.ru/forum/viewtopic.php?f=10&t=40348
Подключить транзистор по схемам так же, как и полевые транзисторы, и, соединяя затвор или с плюсом или с землей, наблюдать за наличием тока в лампе:

Изображение Изображение

********************

Как проверить полевой транзистор.
При ремонте аппаратов, в которых применены полевые транзисторы, у ремонтников очень часто возникает задача проверки целостности и работоспособности этих транзисторов. Чаще всего приходится иметь дело с вышедшими из строя мощными полевыми транзисторами импульсных блоков питания.

Расположение выводов полевых транзисторов (Gate - Drain - Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными.

Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно при проверке полевых транзисторов соблюдать правила безопасности. Дело в том, что полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет. Также следует помнить, что при хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой.

При проверке ПТ чаще всего пользуются обычным омметром. У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от прикладываемого тестового напряжения. Следует заметить, что имеются некоторые исключения. Если при проверке приложить положительный щуп тестового прибора к затвору (G) транзистора n-типа, а отрицательный - к истоку (S), зарядится ёмкость затвора и транзистор откроется. При замере сопротивления между стоком (D) и истоком (S) прибор покажет некоторое значение сопротивления, которое зависит от ряда факторов. Неопытные ремонтники могут принять такое поведение транзистора за его неисправность. Поэтому перед “прозвонкой” канала “сток-исток” замкните накоротко все ножки транзистора, чтобы разрядить ёмкость затвора. После этого сопротивление сток-исток должно стать бесконечным. В противном случае транзистор признается неисправным.

В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод, поэтому канал “сток-исток” при проверке ведет себя как обычный диод. Для того чтобы избежть досадных ошибок, помните о наличии такого диода и не примите это за неисправность транзистора. Убедиться в наличии диода достаточно просто. Нужно поменять местами щупы тестера, и он должен показать бесконечное сопротивление между стоком и истоком. Если этого не произошло, то, скорее всего, транзистор пробит. В остальном проверка транзистора не отличается от приведенной выше. Таким образом, имея под рукой обычный омметр, можно легко и быстро проверить мощный полевой транзистор. Большой выбор полевых транзисторов в интернет магазине Dalincom, в разделе Полевые транзисторы.
http://master-tv.com/article/kmop-transistor.php

********************

Проверяем на работоспособность полевой транзистор структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП, МОП, MOSFET, GIFET, MISFET).
Источник: posted on 2012-04-20 by serge
Необходимое оборудование: мультиметр, цифровой или аналоговый, с возможностью проверки диодов.
N-канальный МДП полевой транзистор с индуцированным переходом:
Gate = Затвор
Drain = Сток
Source = Исток


P-канальный МДП полевой транзистор с индуцированным переходом:
Затвор = Gate
Исток = Source
Сток = Drain
Внимание: проверка полевых транзисторов с p-n переходом (J-FET, JFET, JUGFET) будет описана в другой статье.

Наиболее распространённая цоколёвка МДП транзисторов:

Изображение Изображение

Описываемая здесь последовательность действий лучше всего подходит для проверки МДП транзисторов (MOSFET) средней и большой мощности, или - всех, что предназначены для крепления на радиатор.

Ограничения
  • При работе с малосигнальными МДП транзисторами требуется быть предельно осторожным относительно статического электричества, чтобы не поубивать их во время такой проверки.
  • МДП транзисторы, работающие в режиме обеднения (со встроенным каналом), надо проверять несколько иначе. Полезность данной статьи сей факт никак не уменьшает, и вот почему: вероятность того, что у вас окажется такой девайс, стремится к бесконечно малой величине. Если же вы справились-таки раздобыть Depletion Mode MOSFET - вам эта статья уж и подавно не нужна :)
  • В случае, если вам повезло стать обладателем раритетного МДП устройства без структурного диода, то, соответственно, описанная ниже проверка структурного диода смысла не имеет.
  • Возможно, напряжения на щупах мультиметра не хватит для надёжного открытия транзистора. Тогда можно взять 9-вольтовую батарейку "крона" с последовательно включенным резистором не менее 1КОм и использовать этот источник для заряда затвора.
Проверяем
1) Затвор должен быть изолирован от других выводов
  • Подключаем чёрный "-" щуп мультиметра к выводу стока (фланец) или выводу истока, красным "+" щупом касаемся вывода затвора: прибор показывает разрыв цепи. Отсоединяем щупы в обратном порядке: сначала от затвора, потом от истока или стока. Следим, чтобы больше ничего не дотрагивалось до вывода затвора.
  • Подсоединяем красный щуп мультиметра к выводу стока или истока, чёрный - к затвору: прибор показывает разрыв цепи. Отсоединяем щуп сначала от затвора.
Разряжаем ёмкость затвора: берём транзистор за фланец крепления радиатора (вывод стока), если такового нет, то сначала дотрагиваемся до вывода стока или истока, потом нежно обнимаем все три ножки. :)

2) Проверяем структурный диод.
Для этого проверяем на исправность диод, что между стоком и истоком, так же, как мы бы прозванивали обычный кремниевый диод.
  • В прямом включении падение как на обычном кремниевом диоде: мультиметр должен показать падение напряжения в диапазоне приблизительно от 0.4 до 0.7 Вольт.
  • В обратном включении - диод заперт.
3) Заряжаем ёмкость затвора - канал открыт.
Для N-канальных МДП транзисторов (а таковых подавляющее большинство):
  • а) Подключаем чёрный щуп мультиметра к выводу истока, красным щупом касаемся вывода затвора.
В случае P-канального МДП транзистора полярность соответственно меняем на обратную.
  • а) Подключаем красный щуп мультиметра к выводу истока, чёрным щупом касаемся вывода затвора.
  • б) Замеряем падение на (при-)открытом канале.
Для этого щуп, только что коснувшийся затвора, переносим на сток. Прибор должен показать небольшое падение напряжения, или даже короткое замыкание, некоторые приборы при этом радостно пищат. Заряд с затвора исправного транзистора стекает исключительно медленно - канал должен оставаться открытым довольно долго.

4) Разряжаем затвор.
Для этого можно держась за фланец или вывод истока коснуться затвора. Можно это сделать пальцами, можно проводом, а можно повторить процедуру заряда ёмкости затвора, но приложив обратную полярность напряжения.
  • Для N-канальных МДП: Подключаем чёрный щуп мультиметра к выводу истока, красным щупом касаемся вывода стока.
  • Для P-канальных МДП: Подключаем красный щуп мультиметра к выводу истока, чёрным щупом касаемся вывода затвора.
Убеждаемся, что канал закрыт: измеренное сопротивление или падение напряжения должно стремиться к бесконечности (помним о наличии структурного диода).

Возможные сюрпризы
Подавляющее большинство неисправностей МДП транзисторов так или иначе связано с пробоем изолятора затвора. Проявляться это может как вполне измеримой утечкой в цепи затвора, так и в постоянно открытым или наоборот закрытым состоянии канала, без малейшего намёка на пробой собственно затвора.

Разрушение кристалла при перегрузках часто сопровождается таким фейерверком, что ничего мерять там уже и не надо.

К сожалению, бывают ещё и скрытые дефекты, деградация качества прибора, вызванные пробоем и никак не проявляющиеся в тестах, описанных в данной статье. Недавно я сам попался на такой дефект при работе с маленькими полевиками (2n7002). Что тут можно посоветовать:
  • Соблюдаем строжайшую антистатическую дисциплину
  • Измеряем характеристики транзистора. В моём случае из-за скрытого пробоя лишь увеличилось пороговое напряжение отпирания транзистора.
********************

Ещё картинок по теме: http://elektrik24.net/instrumentyi/izme ... istor.html

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
На форуме с 26 сен 2012, 19:20

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение IURII » 27 сен 2012, 15:59

Разница в напряжении на управлении 17В на RJP5001APP против до 30В на CT40TMH-8.
Можно RJP5001APP использовать в других вспышках или ограничить напряжение на управлении?
Можно заменить IGBT strobe транзистором из SB-900 RJP5001APP? Или на управление ставить стабилитрон какой-то?

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9385
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение Impulsite » 27 сен 2012, 15:59

RJP5001APP можно использовать в других вспышках. У него незаурядный импульсный ток, 300 A! Но при условии, что Вы ограничите "в другой вспышке" напряжение на управляющем электроде в соответствии со спецификацией, т.е. не больше 17 Вольт.
Спецификация: RJP5001APP.
Den_DSLR писал(а):Нужно ли ограничивать VGE для названного выше транзистора по сравнению с CT40KM? И как?
Нужно в том случае, когда рабочие уровни напряжений затвора нового IGBT-транзистора меньше, чем 30-33 Вольта, требуемых для затвора CT40KM и RJP4301.
* viewtopic.php?p=10542#p10542
* viewtopic.php?p=5540#p5540
Но, впрочем, есть сообщения, что транзисторы IRG4PC50F, IRG4PC50U и т.п. работают и без дополнительных мер защиты затвора от повышенного напряжения. :) Вопрос только в том, как разместить типоразмер TO-247 в тесноте внутренностей вспышки.

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
На форуме с 26 сен 2012, 19:20

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение IURII » 27 сен 2012, 16:00

Вроде, продавец пишет, что может отослать такие. Дабы валяются три SB-25 и 26 да и может обзаведусь SB-910. На другом форуме читал что и в SB-900 тоже летят. А где можно почитать, как делать замер напряжения управления в других вспышках и как ограничить это напряжение при необходимости. Я не спец, но с подсказкой разберусь. Спасибо

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9385
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение Impulsite » 27 сен 2012, 16:00

Вот когда получите вспышки, отснимете платы с хорошим разрешением, тогда и поговорим подробнее. Пока читайте форум, скачивайте и изучайте инструкции по ремонту.

Не в сети
гость
Сообщения: 2
На форуме с 27 сен 2012, 16:02

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение kulibin33 » 27 сен 2012, 16:03

IURII писал(а):Разница в напряжении на управлении 17В на RJP5001APP против до 30В на CT40TMH-8.
Можно RJP5001APP использовать в других вспышках или ограничить напряжение на управлении?
Можно заменить IGBT strobe транзистором из SB-900 RJP5001APP? Или на управление ставить стабилитрон какой-то?
Через пол года использования перестала работать фотовспышка Sigma EF-530 DG Super при проверке обнаружил пробитый CT40KM-H8. Оригинал найти не удалось. Хотел заменить на IRG4BC40F, но его надо было ждать две недели под заказ. Поставил взамен IRG4PH50U выводы перегнул, уменьшил в диаметре, верхнюю часть до отверстия отпилил. После установки вспышка работает как новая. Очень полезный сайт .
Огромное спасибо!

Не в сети
коллега
Сообщения: 15
На форуме с 26 сен 2012, 23:30

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение pegast20009 » 27 сен 2012, 16:04

При подборе замены IBGT IRGxxxxxF(U) обращайте внимание на группу "Fast" и "Ultra Fast" !!!

Что, уже появились IBGT "Logic Level" ?

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9385
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение Impulsite » 27 сен 2012, 16:04

Давно. Практически все транзисторы с максимальным напряжением на затворе 6 Вольт и меньше в списке, приведенном выше, - это транзисторы, управляемые на "логическом уровне". Или я опять Вас неправильно понял? :)

Буквенные суффиксы F, U, W указывают на пограничную частоту работоспособности транзисторов.
IRG4BC40F - Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).
IRG4BC40U - UltraFast: optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode.
IRG4BC40W - Warp: optimized for high operating frequencies up to 150 kHz in hard switching, >300 kHz in resonant mode.
IRG4BC40W designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction), an excellent option for resonant mode switching as well (up to >>300 kHz) applications.

Буквенные суффиксы для серии IRG4PC50, IRG4PC60 имеют аналогичное значение.

Не в сети
коллега
Сообщения: 15
На форуме с 26 сен 2012, 23:30

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение pegast20009 » 27 сен 2012, 16:06

Уважаемый impulsite !
Какие бы Вы предложили варианты замены по Вашей методе IBGT CT40KM-H8 для флеш Nikon SBxxx из серии IBGT IRG4BC40x? Букву "F" можно упустить.

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9385
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение Impulsite » 27 сен 2012, 16:06

Метода не моя. :) И нельзя обобщать её на все вспышки Nikon. Сразу же надо исключить SB-400 (напряжение управления IGBT 5 Вольт), и в SB-900 используется транзистор с напряжением управления 17 Вольт.
Пожалуй, только применимо к , SB-25, SB-26, SB-80, SB-600 и SB-800. Можно использовать IGBT-транзисторы с импульсным током 160-200 Ампер и достаточно высокой граничной частотой (быстродействием). Согласование напряжения на управляющем электроде возможно при замене соответствующего стабилитрона в цепи питания драйвера транзистора. Список, который вы можете видеть выше, существует как раз для подбора замены транзисторов.

Не в сети
коллега
Сообщения: 15
На форуме с 26 сен 2012, 23:30

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение pegast20009 » 27 сен 2012, 16:06

Уважаемый impulsite !
Обращаю Ваше внимание на один момент. IBGT CT40KM-H8 рассчитан на Icm=200A для Cm=1500mF. В SB600(800) стоит Cm=1000mF, из чего выходит что ток Icm=200A -"запас" и для замены предостаточно Icm=160A, что и происходит на практике.
В таблице Вы указали - "20v_160a__IRG4BC40W_600v__Strobe".
Это опечатка?

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9385
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение Impulsite » 27 сен 2012, 16:06

Вы, наверное, в спецификацию IRG4BC40W и других IGBT заглядывали? :)

Не в сети
коллега
Сообщения: 15
На форуме с 26 сен 2012, 23:30

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение pegast20009 » 27 сен 2012, 16:08

Уважаемый impulsite !
Вношу уточнение. В таблице Вы указали "20v_160a__IRG4BC40W_600v__Strobe" я не нашел в Data Sheet упоминания , что он относится к "Strobe"!

Где в Data Sheet IRG4BC40W указано, что он относится к группе Strobe?

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9385
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение Impulsite » 27 сен 2012, 16:08

IRG4BC40W широко используется во вспышках Metz 48 и Metz 58. Полагаю, этого достаточно. :)
Сейчас широко появились транзисторы, называемые PDP Trench IGBT - они предназначенны для работы в плазменных дисплеях. Пример одного из таких - IRGB4065. Согласно спецификации импульсный ток 205А и напряжение на затворе до 30 В, вот только рабочее напряжение пока недостаточно для вспышек - 300В. Также и по временным характеристикам близко к вспышечным IGBT.

Коллеги, если встретите какие-то неизвестные здесь IGBT, попадающие в наш рабочий диапазон, сообщите, пожалуйста, в теме.

Не в сети
Аватара пользователя
мaстер
Сообщения: 280
На форуме с 26 сен 2012, 23:15

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение Vikt(or) » 30 ноя 2012, 20:23

У фирмы Fairchild есть кучка подходящих транзисторов http://www.fairchildsemi.com/search/tre ... nfoN=10615
Нужно смотреть те, у которых указано не менее 50 ампер.
Самый впечатляющий FGA180N33ATD, выдерживающий 450 А :o
_________________
Нет такой проблемы, которую мы не смогли бы проигнорировать, приложив совместные усилия.
Король Ральф I

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9385
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение Impulsite » 1 дек 2012, 09:49

Ого! Спасибо, Виктор. Будет, что изучать на будущей неделе.

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9385
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение Impulsite » 17 май 2013, 19:40

Поисковый запрос
по транзисторам серии IRG4PC50... : IRG4PC50*
по транзисторам серии IRG4PC50... : IRG4PH50*
по транзисторам серии IRG4PF50... : IRG4PF50*

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
На форуме с 26 сен 2012, 19:20

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение IURII » 20 май 2013, 13:27

IXXK300N60C3.pdf - 1000А в пульсирующем режиме :shock:

Не в сети
мастер
Сообщения: 657
На форуме с 12 янв 2013, 19:03

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение A-Gugu » 26 авг 2013, 14:50

Близко к "вспышечным" подходит Fairchild FGPF4536 - 360 В рабочее, 220 А импульсный ток и 30 В на затворе.

Не в сети
мастер
Сообщения: 1007
На форуме с 26 сен 2012, 14:27
Откуда: RU, Crimea, Simferopol

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение sa137 » 16 ноя 2013, 21:15

Листал каталог Ренесанса, нашел раздел транзисторов для вспышек. Решил опубликовать, чтоб не забылось и не потерялось. http://impulsite.narod.ru/parts/igbt/rj ... ations.pdf

bsw
Не в сети
коллега
Сообщения: 32
На форуме с 2 июл 2014, 23:40

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение bsw » 2 июл 2014, 23:49

IRG7PSH73K10 Напряжение коллектор-эмиттер VCES=1200 Вольт, импульсный ток ICM=225 А, можно купить у нас )

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9385
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение Impulsite » 3 июл 2014, 10:47

Здравствуйте, bsw!
IRG7PSH73K10 напряжение затвор-эмиттер VGE=30 Вольт ! - очень интересно! А есть такие же в корпусе TO-220?

bsw
Не в сети
коллега
Сообщения: 32
На форуме с 2 июл 2014, 23:40

Re: IGBT транзисторы

Непрочитанное сообщение bsw » 3 июл 2014, 23:57

Увы, не встречал в то-220 таких (
А транзисторы очень интересны, и "квадратной" Reverse Bias SOA и рабочими напряжениями/токами.
Можно спокойно делать вспышку с напряжением на ёмкостях вольт 800..900.
Вот их и собираюсь применить в своем проекте, уже куплены, лежат и ждут, когда появятся конденсаторы )
Ответить

Вернуться в «Импульсные лампы и электронные компоненты вспышек»