Самодельная вспышка 1000 Дж, управляемая IGBT транзисторами

Наш лабораторный корпус. Практическое решение вопросов. Автор темы является полным хозяином в своей теме.
Ответить
  • Автор
  • Сообщение
Не в сети
эксперт
Сообщения: 9852
Стаж 7 лет 9 месяцев

Самодельная вспышка 1000 Дж, управляемая IGBT транзисторами

Непрочитанное сообщение Impulsite » 3 мар 2017, 14:20

Самодельная вспышка 1000 Дж, управляемая IGBT транзисторами.
Cсылка на первоисточник: DIY IGBT controlled 1000Ws Flash Unit (How to build an IGBT Strobe).
Архивная копия: https://impulsite.ru/ctlg/flash/impulse ... trobe.html

Интересное примечание автора:
Unlike a Mosfet, IGBTs should be turned off using a negative voltage. Ideally we chose around -15V. Why is that? There is also some stray inductance at the gate of the IGBT. When the gate capacitance gets discharged rapidly, a voltage spike or ringing can occur. If the spike is large enough to get over the V_GEth it leads to an accidental turn on (at least half way) of the IGBT which will generate a lot of stress and probably kill the IGBT.
--
IGBT транзистор, в отличие от MOSFET, должен может быть выключен с использованием отрицательного напряжения. В идеале мы выбрали около -15В. Почему так? Потому, что имеется некоторая паразитная индуктивность в затворе БТИЗ (IGBT). Когда ёмкость затвора быстро разряжается, может произойти скачок напряжения или "звон". Если выброс напряжения достаточно большой, превышает VGEth, то это может привести к случайному включению IGBT (по крайней мере, наполовину), что создает перегруз транзистора может его убить.
И из комментария:
without a driver it won’t work. Your IGBT must turn off fast. That means you need to put a negative voltage to the gate. Otherwise it may lead to an accidental turn on. And your driver needs to be strong because the gate charge of several paralleled IGBTs is high. The stronger your driver the faster the gate discharge. If you want to shut it off in 100us you will probably have problems finding IGBTs that are fast enough.
--
без драйвера он не будет работать. Ваш IGBT должен выключаться быстро. Это означает, что нужно приложить отрицательное напряжение к затвору. Иначе это может привести к случайному включению. И ваш драйвер должен быть мощным, чтобы обеспечивать быстрый заряд затворов нескольких параллельно соединённых транзисторов. Также, чем мощнее ваш драйвер, тем быстрее затворы разряжаются. Если вы хотите выключать транзистор за 100 мкс, вы, вероятно, должны поискать достаточно быстрый IGBT.
Автор готов помочь советом заинтересованным экспериментаторам:
Don’t bother asking about schematics. If you can’t build a unit like this with the given information you’re not up to the task and I don’t want to be responsible for your injury. Of course I will help with other questions if I can.
--
Не спрашивайте о схемах. Если вы не можете построить такую вспышку, как здесь, по предоставленной информации, то вы не готовы к этой задаче, и я не хочу нести ответственность за ваши травмы. Конечно, я буду помогать по другим вопросам, если я смогу.

Не в сети
мастер
Сообщения: 657
Стаж 7 лет 5 месяцев

Re: Самодельная вспышка 1000 Дж, управляемая IGBT транзистор

Непрочитанное сообщение A-Gugu » 3 мар 2017, 23:34

Крайне рекомендую всё делать по его рекомендациям. :)

Ответить

Вернуться в «Личные темы строителей вспышек»