Buff Einstein 640

Изучаем устройство вспышек, моноблоков и генераторов (power pack) и устраняем неисправности
  • Автор
  • Сообщение
Не в сети
коллега
Сообщения: 18
На форуме с 26 сен 2012, 23:31

Buff Einstein 640

Непрочитанное сообщение karam » 7 окт 2012, 22:43

Вышел дым из Paul C Buff Einstein 640, при разборе выяснилось что сгорел транзистор HGT1S20N60C3S 600V / 45A и предохранитель 0.050 OM, поиск такого транзистора ничего не дал нашел только такой:IRG4BC40F 600V / 49A.
Вопрос подойдет ли данный транзистор IRG4BC40F вместо HGT1S20N60C3S ?

Добавлено модератором:

Изображение Изображение Изображение
EinsteinE640
Макс. энергия разряда: 640 Дж
Питание: от 40 до 265 В, 50/60 Гц
Температура цвета: 5600ºK (+/- 50°К)
Регулировка: 9 ст. диафрагмы с шагом в 1/10 f
Длительность импульса (t0,5): от 1/2000 сек. до 1/27000 сек.
Импульсная лампа: MAXFT12MMUV, 5600°K
Пилотная лампа: 250 Вт, 120В
Байонет : Einstein
Размеры: 17,8 x 13,7 x 19,8 см
Вес: 1,95 кг


Промежуточная плата Inter PCB (PCB-0174). Сторона A, сторона B и черновик схемы:

Изображение Изображение Изображение

Плата с IGBT-транзисторами и конденсаторами (E321638). Сторона A, сторона B и черновик схемы:

Изображение Изображение Изображение

Плата питания. Сторона A, сторона B:

Изображение Изображение

Плата управления PCB (PCB-0174). Сторона A, сторона B:

Изображение Изображение

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9610
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: Paul C. Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение Impulsite » 7 окт 2012, 22:43

Транзистор IRG4BC40F заметно "слабее", чем HGT1S20N60C3S. Хотя можно попробовать поставить два IRG4BC40F параллельно с соответствующей развязкой затворов.
Замену HGT1S20N60C3S подберите здесь: viewtopic.php?f=28&t=47 или на сайтах производителей IGBT-транзисторов, ориентируясь по напряжению на затворе 20 Вольт и импульсному току 300 Ампер.

И большая к Вам просьба, отснимите с хорошим разрешением внутреннее устройство этой вспышки, как можно подробнее. Особенно тщательно платы с обеих сторон. Транзисторы HGT1S20N60C3S не дефицит, имеются в продаже, так что знание устройства Einstein 640 кому-то позволит повторить схему для личного пользования.

Перед заменой транзистора продиагностируйте также драйвер IGBT-транзистора. Надо выяснить, что было причиной неисправности.

Не в сети
коллега
Сообщения: 18
На форуме с 26 сен 2012, 23:31

Re: Paul C. Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение karam » 24 ноя 2012, 16:04

К сожалению, не удалось собственными силами отремонтировать вспышку, отдал одному мастеру на ремонт. Посмотрим, что получится.

boras

Re: Paul C. Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение boras » 24 ноя 2012, 19:47

Можно попробовать транзистор: IRG7PSH73K10PBF,IGBT 1200В 220А Super247. Его паспортные данные: IRG7PSH73K10.

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
На форуме с 26 сен 2012, 19:20

Re: Paul C. Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 26 ноя 2012, 17:40

всё равно не верится да и не может быть чтоб через HGT1S20N60C3S разряжали ёмкость в 640 Ws :P

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9610
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: Paul C. Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение Impulsite » 26 ноя 2012, 18:21

Если бы karam предоставил фотографии плат, мы бы точно знали что и для чего служит.
Чтобы резать импульс, не обязательно пропускать ток лампы через транзистор. Можно растянуть импульс лампой с большим динамическим сопротивлением (или используя дроссель посредовательно с лампой) и транзистором резать "хвост" импульса, подключая транзистор параллельно лампе, когда ток через лампу меньше пикового.

Не в сети
новичок
Сообщения: 9
На форуме с 2 окт 2012, 22:44

Einstein E640 inside

Непрочитанное сообщение alexander_s » 8 фев 2013, 13:12

Хочу перетащить с сайта фотографов на ваш форум электронщиков, а то тему засыпали транзисторами. :roll:

компакт. короткоимп. свет EINSTEIN 640 на форуме Клуб стоковых фотографов и иллюстраторов

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9610
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: Einstein E640 inside

Непрочитанное сообщение Impulsite » 8 фев 2013, 13:24

Снимки могут служить примером как следует фотографировать платы вспышек. Благодарю доброго человека, нашедшего время для съемки внутренностей исправного Einstein E640.

Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение

Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение

Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение

Еще несколько фотографий другого случая аварии с моноблоком E640. Благодарю владельца моноблока за присланные снимки.

Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение Изображение

Не в сети
коллега
Сообщения: 24
На форуме с 8 окт 2012, 12:49

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение ka_ru » 8 фев 2013, 21:22

как то люди забыли про время включения / выключения транзистора.
Вопрос к автору. Как сгорел транзистор в КЗ или в обрыв?

Замену нужно произвести только таким.
Если будете ставить аналог, то менять надо все транзисторы.

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
На форуме с 26 сен 2012, 19:20

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 9 фев 2013, 00:22

Автор темы дааавно залёг на дно. Очень интересовало какие IGBT стоят в Einstein 640 и как выдерживают 600 Ws. Нашёл фотку и оказывается запараллелены восемь штук. Когда ставил опыты с разрядом через IGBT, все с резисторами на управлении, запараллелил 10 штук и толку никакого. Умирали по одному, по одному, а потому, что закрываются, когда им вздумается, а не синхронно. Знающие люди объяснили, что никогда не получится с запараллеленными. Но вот тебе в Einstein 640 так и сделано. Правда, изредка, видимо, тоже умирают, как и у автора. Есть желание повторить опыт на этих же транзисторах, если раздобуду, да вот терзают сомнения что получится что-то. Есть тут какой-то секрет?

Изображение

Не в сети
коллега
Сообщения: 24
На форуме с 8 окт 2012, 12:49

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение ka_ru » 9 фев 2013, 10:35

секрет в этих самых низко-омных сопротивлениях и подборе транзисторов.
Я раньше такое делал когда надо было подключить несколько мощных БП параллельно.

boras

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение boras » 9 фев 2013, 12:08

IURII писал(а):Есть желания повторить опыт на этих же транзисторах если раздабуду да вот терзают сомнения что получится что-то .Есть тут какой-то секрет,??
http://impulsite.narod.ru/buff/e640/2556.jpg
Конечно есть! Резисторы в цепи эмитера(?) и..., возможно, где-то припрятана RCD-цепочка, забирающая на себя энергию фронта выключения.
Но, вы правы! Обеспечить идеально синхронную работу параллельно включенных биполярных(!) транзисторов в импульсной силовой схеме невозможно!
P.S. На пОлевых транзисторах эта проблема решается проще. Как правило, они могут работать параллельно в импульсном режиме.

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
На форуме с 26 сен 2012, 19:20

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 10 фев 2013, 01:51

Раз Einstein 640 собирают с этими транзисторами то производитель видит смысл в этом. Думал найти и прикупить именно
их для своих пока тестов на вспышке с напряжением до 600 вольт. Как порылся на оф. сайте - так ничего и не нахожу.
Разницы между транзисторами нет, они 263, а её вы увидели раз написали (IURII, это не "старое название". Это название того же самого IGBT-транзистора, но в другом корпусе.) В каком другом если в том-же 263?

Не в сети
коллега
Сообщения: 24
На форуме с 8 окт 2012, 12:49

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение ka_ru » 10 фев 2013, 13:28

Смысл у них один. Добиться заявленных параметров при минимальных затратах.
Один транзистор в импульсном режиме(250мс) может выдержать 300А.
Мне с трудом вериться что транзистор так долго включается.
Чтобы ограничить ток стоят эмиттерные сопротивления.
В базе стоит пуш-пил драйвер и Rg. Я волшебства не вижу.

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
На форуме с 26 сен 2012, 19:20

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 10 фев 2013, 13:51

Эти сопротивления ничего не ограничивают, они предохранители в случае вылета одного транзистора сгорает и он и вспышка дальше работает на семи потом на шести транзисторах. Вопрос и тайна в другом как сделать почти невозможное чтоб параллельные IGBT не умирали поочерёдно. Причина описана по выше - не закрываются они одновременно. Потому тот что запоздал и перегорает. Вот в чём проблема. И вылет транзистора у автора темы тому и подтверждение- не надёжно с параллельными IGBT! Но вероятно можно подбирать, тестируя и заменяя умирающий на другой, потом следующего мертвеца опять заменить и так тестить и заменять, пока не окажутся все одинаковыми.

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9610
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение Impulsite » 10 фев 2013, 15:19

Изображение

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
На форуме с 26 сен 2012, 19:20

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 10 фев 2013, 18:12

Схема это хорошо. Но кто-то может сказать принцип работы IGBT здесь. Они находятся при включении вспышки всегда в открытом состоянии, при поджиге они проводят и закрываются и опять открываются. Или открываются одновременно с поджигом. По моему первый вариант более щадящий. И не нужны сопротивления к каждому транзистора от эмитера на управляющий для надёжного запирания. В моих попытках так и применил десять транзисторов, регулировка шла даже от минимума в пару джоулей но по одному умирали. Не было только предохранителей резисторов 0,05 ом. И транзисторы были из этой - же серии UFS HGTG40N60B3 на 330А в пике. Этот транзистор прекрасно живёт в старой SB-25. Правда в ней нет HSS. Не знаю как поведёт себя при таком HSS стробе. Может кто чего подскажет.

Не в сети
коллега
Сообщения: 24
На форуме с 8 окт 2012, 12:49

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение ka_ru » 10 фев 2013, 20:14

Обратите внимание на схему.
Стоят UFS транзисторы, а в затворе 20 Ом резисторы 1%.
Зачем? Можно было поставить и 3 Ома.

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
На форуме с 26 сен 2012, 19:20

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 10 фев 2013, 20:31

Нигде не нашёл, что означает UFS относительно этих транзисторов, Ulta Fast что ли ?

Не в сети
коллега
Сообщения: 24
На форуме с 8 окт 2012, 12:49

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение ka_ru » 10 фев 2013, 20:48

Ага!!!
Что означает - время переключения можно задать внешними компонентами с учётом разброса ёмкости затвора.
Главное в параллельном включении не сделать перекоса в 300А за 250мс.
У Пауля так и есть. В открытом состоянии основная мощность будет рассеиваться на 50мОм резисторах.
У IGBT сопротивлении перехода меньше чем у резисторов.

Не в сети
коллега
Сообщения: 224
На форуме с 26 сен 2012, 19:20

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение IURII » 10 фев 2013, 21:12

Я не спец и мало понимаю но для следующей попытки значит надо добавить о,05 ом от каждого эмитера.Но что подойдёт для этого.Как на фотке не найду такие. И если сечёте в этом деле как лучше и правильней сделать (я про приделывание IGBT к уже имеющейся вспышке) управление транзисторами: чтоб открывались одновременно с поджигом или чтоб всегда были открыты и запирались при заданном напряжении на конденсаторах и потом опять открывались ?

Не в сети
коллега
Сообщения: 24
На форуме с 8 окт 2012, 12:49

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение ka_ru » 10 фев 2013, 21:27

http://de.farnell.com/welwyn/oars1-r050 ... dp/1200356

HGT1S20N60C3S не рекомендован к применению.
У Фаирчилд есть замена. Я бы купил 8 штук новых и заменил все.
Но можно заменить один с похожими параметрами.
Будет ли перекос? Не знаю. Нужно измерять и подбирать сопротивление затвора.
Открывать их или закрывать пока не понятно.
Зависит от схемы запуска лампы.
Если дополнительной схемы нет, надо открывать, потом закрывать.

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9610
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение Impulsite » 11 фев 2013, 11:28

Учитывая особенности параллельного включения силовых транзисторов (диодов) и характер размещения выравнивающих резисторов довольно необычной формы на плате у Einstein 640, пожалуй, надо в схему добавить по одному витку индуктивностей :).
ka_ru, что думаете по этому поводу?

Изображение

К сожалению, нет возможности проследить цепи поджигающего трансформатора L1 (тип ZS1052), но видно, что он и конденсатор поджига C9 (0,047 мкФ 400В) соединяются с катодом лампы, XE(-), как в схемах накамерных вспышек. Это указывает на то, что поджиг обеспечивается открытием транзисторов Q1-Q8.

Не в сети
новичок
Сообщения: 9
На форуме с 2 окт 2012, 22:44

Re: Buff Einstein 640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение alexander_s » 11 фев 2013, 13:24

Я правильно понял: в случае выхода из строя одного транзистора, схема будет продолжать работать, пока не сгорят все транзисторы?
Было как-то: хлопнуло и вспышка выключилась. Сначала подумал что все, сгорела. Потом обратил внимание на предохранитель на удлинителе - его выбило.
Теперь появились смутные подозрения, что не просто так предохранитель выбило и нужно заглянуть в моноблок - посмотреть на транзисторы/резисторы 0.05ом...
Согласны с такой мыслью?

К сожалению какой именно это был моноблок - мне теперь не определить, придется вскрывать все оставшиеся моноблоки. :(

Не в сети
эксперт
Сообщения: 9610
На форуме с 25 сен 2012, 21:00

Re: Buff Einstein 640 - замена IGBT транзистора

Непрочитанное сообщение Impulsite » 11 фев 2013, 14:00

А смысл? Предохранитель в удлинителе сгорел потому, что оказался слабее, чем Вы нагрузили.
Вот если бы предохранитель в моноблоке сгорел, тогда да, было бы полезно открыть, посмотреть, но только для утоления любопытства. :)
Ответить

Вернуться в «Студийные вспышки, вопросы по ремонту и схемы»