Buff Einstein 640
- Автор
- Сообщение
-
Не в сети
- коллега
- Сообщения: 18
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Buff Einstein 640
Вышел дым из Paul C Buff Einstein 640, при разборе выяснилось что сгорел транзистор HGT1S20N60C3S 600V / 45A и предохранитель 0.050 OM, поиск такого транзистора ничего не дал нашел только такой:IRG4BC40F 600V / 49A.
Вопрос подойдет ли данный транзистор IRG4BC40F вместо HGT1S20N60C3S ?
Добавлено модератором:
EinsteinE640
Макс. энергия разряда: 640 Дж
Питание: от 40 до 265 В, 50/60 Гц
Температура цвета: 5600ºK (+/- 50°К)
Регулировка: 9 ст. диафрагмы с шагом в 1/10 f
Длительность импульса (t0,5): от 1/2000 сек. до 1/27000 сек.
Импульсная лампа: MAXFT12MMUV, 5600°K
Пилотная лампа: 250 Вт, 120В
Байонет : Einstein
Размеры: 17,8 x 13,7 x 19,8 см
Вес: 1,95 кг
Промежуточная плата Inter PCB (PCB-0174). Сторона A, сторона B и черновик схемы:
Плата с IGBT-транзисторами и конденсаторами (E321638). Сторона A, сторона B и черновик схемы:
Плата питания. Сторона A, сторона B:
Плата управления PCB (PCB-0174). Сторона A, сторона B:
Вопрос подойдет ли данный транзистор IRG4BC40F вместо HGT1S20N60C3S ?
Добавлено модератором:
EinsteinE640
Макс. энергия разряда: 640 Дж
Питание: от 40 до 265 В, 50/60 Гц
Температура цвета: 5600ºK (+/- 50°К)
Регулировка: 9 ст. диафрагмы с шагом в 1/10 f
Длительность импульса (t0,5): от 1/2000 сек. до 1/27000 сек.
Импульсная лампа: MAXFT12MMUV, 5600°K
Пилотная лампа: 250 Вт, 120В
Байонет : Einstein
Размеры: 17,8 x 13,7 x 19,8 см
Вес: 1,95 кг
Промежуточная плата Inter PCB (PCB-0174). Сторона A, сторона B и черновик схемы:
Плата с IGBT-транзисторами и конденсаторами (E321638). Сторона A, сторона B и черновик схемы:
Плата питания. Сторона A, сторона B:
Плата управления PCB (PCB-0174). Сторона A, сторона B:
-
Не в сети
- эксперт
- Сообщения: 10367
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Paul C. Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
Транзистор IRG4BC40F заметно "слабее", чем HGT1S20N60C3S. Хотя можно попробовать поставить два IRG4BC40F параллельно с соответствующей развязкой затворов.
Замену HGT1S20N60C3S подберите здесь: viewtopic.php?f=28&t=47 или на сайтах производителей IGBT-транзисторов, ориентируясь по напряжению на затворе 20 Вольт и импульсному току 300 Ампер.
И большая к Вам просьба, отснимите с хорошим разрешением внутреннее устройство этой вспышки, как можно подробнее. Особенно тщательно платы с обеих сторон. Транзисторы HGT1S20N60C3S не дефицит, имеются в продаже, так что знание устройства Einstein 640 кому-то позволит повторить схему для личного пользования.
Перед заменой транзистора продиагностируйте также драйвер IGBT-транзистора. Надо выяснить, что было причиной неисправности.
Замену HGT1S20N60C3S подберите здесь: viewtopic.php?f=28&t=47 или на сайтах производителей IGBT-транзисторов, ориентируясь по напряжению на затворе 20 Вольт и импульсному току 300 Ампер.
И большая к Вам просьба, отснимите с хорошим разрешением внутреннее устройство этой вспышки, как можно подробнее. Особенно тщательно платы с обеих сторон. Транзисторы HGT1S20N60C3S не дефицит, имеются в продаже, так что знание устройства Einstein 640 кому-то позволит повторить схему для личного пользования.
Перед заменой транзистора продиагностируйте также драйвер IGBT-транзистора. Надо выяснить, что было причиной неисправности.
-
Не в сети
- коллега
- Сообщения: 18
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Paul C. Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
К сожалению, не удалось собственными силами отремонтировать вспышку, отдал одному мастеру на ремонт. Посмотрим, что получится.
Re: Paul C. Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
Можно попробовать транзистор: IRG7PSH73K10PBF,IGBT 1200В 220А Super247. Его паспортные данные: IRG7PSH73K10.
-
Не в сети
- коллега
- Сообщения: 224
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Paul C. Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
всё равно не верится да и не может быть чтоб через HGT1S20N60C3S разряжали ёмкость в 640 Ws
-
Не в сети
- эксперт
- Сообщения: 10367
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Paul C. Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
Если бы karam предоставил фотографии плат, мы бы точно знали что и для чего служит.
Чтобы резать импульс, не обязательно пропускать ток лампы через транзистор. Можно растянуть импульс лампой с большим динамическим сопротивлением (или используя дроссель посредовательно с лампой) и транзистором резать "хвост" импульса, подключая транзистор параллельно лампе, когда ток через лампу меньше пикового.
Чтобы резать импульс, не обязательно пропускать ток лампы через транзистор. Можно растянуть импульс лампой с большим динамическим сопротивлением (или используя дроссель посредовательно с лампой) и транзистором резать "хвост" импульса, подключая транзистор параллельно лампе, когда ток через лампу меньше пикового.
-
Не в сети
- новичок
- Сообщения: 9
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Einstein E640 inside
Хочу перетащить с сайта фотографов на ваш форум электронщиков, а то тему засыпали транзисторами.
компакт. короткоимп. свет EINSTEIN 640 на форуме Клуб стоковых фотографов и иллюстраторов
компакт. короткоимп. свет EINSTEIN 640 на форуме Клуб стоковых фотографов и иллюстраторов
-
Не в сети
- эксперт
- Сообщения: 10367
- Стаж 11 лет 7 месяцев
-
Не в сети
- коллега
- Сообщения: 22
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
как то люди забыли про время включения / выключения транзистора.
Вопрос к автору. Как сгорел транзистор в КЗ или в обрыв?
Замену нужно произвести только таким.
Если будете ставить аналог, то менять надо все транзисторы.
Вопрос к автору. Как сгорел транзистор в КЗ или в обрыв?
Замену нужно произвести только таким.
Если будете ставить аналог, то менять надо все транзисторы.
-
Не в сети
- коллега
- Сообщения: 224
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
Автор темы дааавно залёг на дно. Очень интересовало какие IGBT стоят в Einstein 640 и как выдерживают 600 Ws. Нашёл фотку и оказывается запараллелены восемь штук. Когда ставил опыты с разрядом через IGBT, все с резисторами на управлении, запараллелил 10 штук и толку никакого. Умирали по одному, по одному, а потому, что закрываются, когда им вздумается, а не синхронно. Знающие люди объяснили, что никогда не получится с запараллеленными. Но вот тебе в Einstein 640 так и сделано. Правда, изредка, видимо, тоже умирают, как и у автора. Есть желание повторить опыт на этих же транзисторах, если раздобуду, да вот терзают сомнения что получится что-то. Есть тут какой-то секрет?
-
Не в сети
- коллега
- Сообщения: 22
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
секрет в этих самых низко-омных сопротивлениях и подборе транзисторов.
Я раньше такое делал когда надо было подключить несколько мощных БП параллельно.
Я раньше такое делал когда надо было подключить несколько мощных БП параллельно.
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
Конечно есть! Резисторы в цепи эмитера(?) и..., возможно, где-то припрятана RCD-цепочка, забирающая на себя энергию фронта выключения.IURII писал(а):Есть желания повторить опыт на этих же транзисторах если раздабуду да вот терзают сомнения что получится что-то .Есть тут какой-то секрет,??
https://impulsite.ru/ctlg/buff/e640/2556.jpg
Но, вы правы! Обеспечить идеально синхронную работу параллельно включенных биполярных(!) транзисторов в импульсной силовой схеме невозможно!
P.S. На пОлевых транзисторах эта проблема решается проще. Как правило, они могут работать параллельно в импульсном режиме.
-
Не в сети
- коллега
- Сообщения: 224
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
От эмитера к затвору были сопротивления правда не помню номинал ( а какой должен быть) .RCD цепочка как понимаю
это нагрузка паралельно лампе и какойто ток должен утекать на нагрузку в момент закрывания IGBT/ Так на это сопротивление не должно утекать опять через те же IGBT в другой группе которых тоже должно быть несколько и опять запаралеляны ? Будем ждать фоток от impulsite/ Обещал что выложит
это нагрузка паралельно лампе и какойто ток должен утекать на нагрузку в момент закрывания IGBT/ Так на это сопротивление не должно утекать опять через те же IGBT в другой группе которых тоже должно быть несколько и опять запаралеляны ? Будем ждать фоток от impulsite/ Обещал что выложит
Это старое название транзистора а нынешнее здесь http://www.t-way.ru/article.asp?article ... ID=1734166karam писал(а): сгорел транзистор HGT1S20N60C3S 600V / 45A и предохранитель 0.050 OM, поиск такого транзистора ничего не дал
-
Не в сети
- эксперт
- Сообщения: 10367
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
IURII, это не "старое название". Это название того же самого IGBT-транзистора, но в другом корпусе. Откройте спецификацию на HGTG20N60 и познакомьтесь с ним поближе. Ссылка.
Фотографии плат моноблока Buff Einstein E640 выложены здесь: viewtopic.php?p=9182#p9182
Фотографии плат моноблока Buff Einstein E640 выложены здесь: viewtopic.php?p=9182#p9182
-
Не в сети
- коллега
- Сообщения: 224
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
И в каком же корпусе HGT1S20N60C3S9A ?
-
Не в сети
- эксперт
- Сообщения: 10367
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
HGT1S20N60C3S - TO-263AB
HGTG20N60C3 - TO-247
HGTP20N60C3 - TO-220AB
HGTG20N60C3 - TO-247
HGTP20N60C3 - TO-220AB
-
Не в сети
- коллега
- Сообщения: 224
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
http://www.fairchildsemi.com Укажите хоть одно упоминание о них. Я не нашёл кроме с новым названием . Выше написали что HGT1S20N60C3S9A тоже самое но в другом корпусе - и каком -же ? Вот все IGBT UFS series
http://www.fairchildsemi.com/search/tre ... Btn=search
http://www.fairchildsemi.com/search/tre ... Btn=search
-
Не в сети
- эксперт
- Сообщения: 10367
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
IURII, наверное, Вы видите заметную разницу между транзистором HGT1S20N60C3S, котором сообщил karam, и вашим транзистором HGT1S20N60C3S9A. Разъясните нам, пожалуйста, в чём они отличаются? И почему Вас так волнуют устаревшие транзисторы, выпущенные еще в 2001 году? Может быть Вы бы потратили это время на выборку современных заменителей?
И прошу Вас быть готовым к тому, что в понедельник все ваши "сомнения" касательно транзисторов я перенесу отсюда в вашу тему: IGBT в цепи разряда конденсатора на лампу - там они будут уместны.
И прошу Вас быть готовым к тому, что в понедельник все ваши "сомнения" касательно транзисторов я перенесу отсюда в вашу тему: IGBT в цепи разряда конденсатора на лампу - там они будут уместны.
-
Не в сети
- коллега
- Сообщения: 224
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
Раз Einstein 640 собирают с этими транзисторами то производитель видит смысл в этом. Думал найти и прикупить именно
их для своих пока тестов на вспышке с напряжением до 600 вольт. Как порылся на оф. сайте - так ничего и не нахожу.
Разницы между транзисторами нет, они 263, а её вы увидели раз написали (IURII, это не "старое название". Это название того же самого IGBT-транзистора, но в другом корпусе.) В каком другом если в том-же 263?
их для своих пока тестов на вспышке с напряжением до 600 вольт. Как порылся на оф. сайте - так ничего и не нахожу.
Разницы между транзисторами нет, они 263, а её вы увидели раз написали (IURII, это не "старое название". Это название того же самого IGBT-транзистора, но в другом корпусе.) В каком другом если в том-же 263?
-
Не в сети
- коллега
- Сообщения: 22
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
Смысл у них один. Добиться заявленных параметров при минимальных затратах.
Один транзистор в импульсном режиме(250мс) может выдержать 300А.
Мне с трудом вериться что транзистор так долго включается.
Чтобы ограничить ток стоят эмиттерные сопротивления.
В базе стоит пуш-пил драйвер и Rg. Я волшебства не вижу.
Один транзистор в импульсном режиме(250мс) может выдержать 300А.
Мне с трудом вериться что транзистор так долго включается.
Чтобы ограничить ток стоят эмиттерные сопротивления.
В базе стоит пуш-пил драйвер и Rg. Я волшебства не вижу.
-
Не в сети
- коллега
- Сообщения: 224
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
Эти сопротивления ничего не ограничивают, они предохранители в случае вылета одного транзистора сгорает и он и вспышка дальше работает на семи потом на шести транзисторах. Вопрос и тайна в другом как сделать почти невозможное чтоб параллельные IGBT не умирали поочерёдно. Причина описана по выше - не закрываются они одновременно. Потому тот что запоздал и перегорает. Вот в чём проблема. И вылет транзистора у автора темы тому и подтверждение- не надёжно с параллельными IGBT! Но вероятно можно подбирать, тестируя и заменяя умирающий на другой, потом следующего мертвеца опять заменить и так тестить и заменять, пока не окажутся все одинаковыми.
-
Не в сети
- эксперт
- Сообщения: 10367
- Стаж 11 лет 7 месяцев
-
Не в сети
- коллега
- Сообщения: 224
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
Схема это хорошо. Но кто-то может сказать принцип работы IGBT здесь. Они находятся при включении вспышки всегда в открытом состоянии, при поджиге они проводят и закрываются и опять открываются. Или открываются одновременно с поджигом. По моему первый вариант более щадящий. И не нужны сопротивления к каждому транзистора от эмитера на управляющий для надёжного запирания. В моих попытках так и применил десять транзисторов, регулировка шла даже от минимума в пару джоулей но по одному умирали. Не было только предохранителей резисторов 0,05 ом. И транзисторы были из этой - же серии UFS HGTG40N60B3 на 330А в пике. Этот транзистор прекрасно живёт в старой SB-25. Правда в ней нет HSS. Не знаю как поведёт себя при таком HSS стробе. Может кто чего подскажет.
-
Не в сети
- коллега
- Сообщения: 22
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
Обратите внимание на схему.
Стоят UFS транзисторы, а в затворе 20 Ом резисторы 1%.
Зачем? Можно было поставить и 3 Ома.
Стоят UFS транзисторы, а в затворе 20 Ом резисторы 1%.
Зачем? Можно было поставить и 3 Ома.
-
Не в сети
- коллега
- Сообщения: 224
- Стаж 11 лет 7 месяцев
Re: Buff Einstein E640 - замена IGBT транзистора
Нигде не нашёл, что означает UFS относительно этих транзисторов, Ulta Fast что ли ?