Sigma EF-530 DG ST, схемы частично

[Maxim Sed]

И так, приехали транзисторы IRF740, и эксперименты с Sigma EF-530 DG ST под Pentax были продолжены. http://piccy.info/view3/7594916/a31d72c ... 0d41/1200/



Транзисторы IRF740 были включены параллельно: http://piccy.info/view3/7594162/bba3bd6 ... 287f2912f/



Сопротивление открытого канала спарки составило 0,6 Ом (Uзи=10В).
Это было подозрительно, т.к. по паспорту Rси=0,55 Ом (для одного) или д.б. 0,3 Ом (для спарки).

При первом же пыхе они сгорели.
Понятно, что китайцы прислали подделку. На этом эксперименты с левыми IRF740 были прекращены.

Т.к. пыха была разобрана, сфотографировал плату: http://piccy.info/view3/7594176/3e55eed ... 0d61/1200/



Элемент, на который я ранее не обратил внимание (помечен стрелкой), оказался стабилитроном на 15 В (его впаял тот, кто пытался лечить вспышку до меня: впаяно аккуратно, не придраться).
Именно из-за него и было напряжение управления на силовой транзистор около 14 В. ))))))

зы Резистор млт-0,125 2 МОм - это уже мои эксперименты. После демонтажа 15В стабилитрона надобность в увеличении тока отпала, и 2МОм был также удалён.

[Impulsite]

Эксперимент с IRF740 не понятен.
Благодарю за хорошие иллюстрации.

китайцы прислали подделку

Дело, скорее не в том, что эти транзисторы - поддельные, а в том, что они не пригодны для работы во вспышке по импульсному току в сотни Ампер.
И, главное, что-то не работает как следует в схеме стабилизатора управляющего напряжения и драйвера IGBT.

[Maxim Sed]

дело, скорее не в том, что эти транзисторы - поддельные, а в том, что они не пригодны для работы во вспышке по импульсному току в сотни Ампер.

транзистор проверить по сопротивлению открытого канала проще простого: подается на затвор +10в, а тестером меряется сопротивление
поскольку достоверно известно, что китайцы даже операционники подделывают, то и транзисторов это тоже касается

спарка IRF740 - аналог irfp460
так что смысл эксперимента был

И, главное, что-то не работает как следует в схеме стабилизатора управляющего напряжения и драйвера IGBT.

Драйвер в порядке (просто его кто-то до меня перестроил на 14В).

[ШлиМимо]

транзистор проверить по сопротивлению открытого канала проще простого: подается на затвор +10в, а тестером меряется сопротивление

Так просто, кто мог бы подумать ?
А вот проволочка 0,1мм ещё меньше "сопротивляется", попробуйте по ней прогнать 200А
Да и datasheet гляньте , там 40А в импульсе

ЗЫ. Не понял почему файлик datasheet не пристыковывается - разъясните, загрузка проходит.

[Maxim Sed]

На самом деле внутри кристалл от IRF720. Неудивительно, что спарка сгорела.

зы Все даташиты в наличии. Тех.англ. читаю без словаря.

К вопросу о корректном измерении сопротивления канала мощного полевика.

Вот типичная характеристика :


Сопротивление канала - константа для токов (от мА до 10А для 2sk3235 ^ ). Так что сопротивление можно мерять хоть на 1мА, хоть на 1А. )))

[Impulsite]

Не понял почему файлик datasheet не пристыковывается - разъясните, загрузка проходит.

Формат PDF запрещен во вложениях. Запакуйте спецификацию в ZIP или RAR архив и так присоедините.

[Maxim Sed]

Где-то на сайте была подборка по IGBT транзисторам. Не могу найти.

Подскажите плиз тип(ы) IGBT транзисторов с импульсным током стока >=300 А. Или ссылку...

[Impulsite]

Вот эта тема: IGBT транзисторы на форуме Импульсные лампы и электронные компоненты вспышек. Рекорд: "1000А в пульсирующем режиме..."

И я бы рекомендовал поискать, конечно, на сайтах изготовителей таких транзисторов: IRF, Toshiba, Fairchild, Renesas и др.. Может быть Вам повезет и с вашей помощью мы узнаем последние новинки, пригодные для применения во вспышках.

[Maxim Sed]

2 impulsite
Спасибо, поищу что-нибудь доступное.

Получил вчера транзисторы для продолжения экспериментов с 530 DG ST: прибыли IRFP460.

Прежде, чем поставить во вспышку, проверил сопротивление открытого канала: менее 0,1 Ом 8-)

После демонтажа "левого" 15В стабилитрона проверил форму управляющего напряжения:
режим "MH" (100% мощность пыха)


режим "ML" (1/8 полной мощности)


С чувством выполненного долга припаял новенький 460й, и после первого пыха спалил его.

Задумался и вспомнил, что лампа, которую я менял в 530й, по размерам немного крупнее родной (d=4,3мм против 3,2мм у родной; разница по длине ламп 0,7 мм ).
Поэтому и ток в лампе около 270А. Полагаю, что ток в родной лампе около 150 А .

Ради любопытства сделал замер тока в советской вспышке (1600 мкФ, лампа ифк-120)


300 А Есть над чем подумать...

[Impulsite]

d=4,3мм против 3,2мм у родной

Кажется, об этом уже говорили, даже с лампой диаметром 4,0 мм IGBT-транзисторы CT40KM (RJP4301) горят. Слишком низкое сопротивление у такой лампы, слишком большой ток для транзистора. С такими транзисторами можно ставить только лампы диаметром до 3,5 мм.
Для лампы с бóльшим диаметром, вероятно, или более мощный транзистор, с импульсным током 300 А и выше или параллельно, с резисторной развязкой затворов, два транзистора на 160-200 А.

[Maxim Sed]

Направьте плиз (дайте ссылки или подскажите), в каких вспышках стоят лампы d=4,3мм, L=40мм? И какие транзисторы там стоят или подходят при замене??

Посчитал примерно:
если принять, что толщина стенки стеклянной трубки лампы 0,65 мм и дифф.сопротивление лампы пропорционально площади поперечного сечения заполненного газом пространства, то получается, что сопротивление ламп 3,2мм и 4,3мм отличается в
((4,3-2*0,65)/(3,2-2*0,65))^2=2,49
если ток лампы 4,3мм - 270 А в пике, то для лампы 3,2мм - 108 А. Т.е. RJP4301 работает в штатном режиме.

[Impulsite]

Во вспышках с IGBT-регулированием экспозиции о лампах с таким диаметром не сообщали и я таких не встречал. Например, в самой мощной Nikon SB-900/910 с транзистором RJP5001 лампа имеет диаметр 3,9 мм.

PS: вспомнилась Falcon Eyes SS-50MR с лампой диаметром 3,6 мм (FT-3648 ST) - она есть в тиристорном варианте и с IGBT-транзистором. Но та вспышка не предполагает интенсивные режимы съемки, как в накамерных вспышках.

[Maxim Sed]

Для лампы с бóльшим диаметром, вероятно, или более мощный транзистор, с импульсным током 300 А и выше или параллельно, с резисторной развязкой затворов, два транзистора на 160-200 А.

а затворы транзисторов зачем развязывать?

[Impulsite]

Считается, что для выравнивания потенциалов затворов и токов коллекторов и как один из путей подавления паразитных колебаний при параллельном включении MOSFET и IGBT транзисторов.
http://www.kit-e.ru/articles/powerel/2005_8_134.php
http://www.power-e.ru/pre_67_4_13_igbt_pl_igbt.php
http://www.rlocman.ru/review/article.html?di=144276
и т.д..

[Maxim Sed]

Согласно источнику http://www.rlocman.ru/review/article.html?di=144276, вариант с общим резистором самый оптимальный. Резистор Rc по сути и есть выход драйвера в голове вспышки.



А кто-нибудь спаривал IGBT транзисторы (есть удачный опыт) ?

[Impulsite]

Да, в Nikon SB-900 - viewtopic.php?p=13204#p13204. Да и в схеме AcmePower TF-138 APZ и его клонов есть развязки на два IGBT.
PS: Вот еще на закуску: частично схема Einstein E640.

[Maxim Sed]

После изучения более десятков даташитов на силовые IGBT и MOSFET-ы, пришёл к интересному выводу:
для IGBT требуется полное напряжение на затворе, чтобы он открылся "на полную",
для MOSFET-ов увеличение напряжения на затворе более 10..12 В роли не играет: т.е. мосфет открылся и далее уменьшения сопротивления канала не происходит (кстати, реальные замеры подтверждают этот вывод, типичный пример - IRFP460).

Получается, что IRFP460 способен работать в схемах, где стоял IGBT с напряжением на затворе 15-20В. Главное, чтобы по току не было перегрузки.
Но всё надо проверять.

[Impulsite]

Получается, что IRFP460 способен работать в схемах

- это случайность, что он у Вас работал. Включите режим HSS и он уйдет к праотцам. Imho.

[Maxim Sed]

А кто-нибудь смотрел форму и амплитуду импульса тока в 530st (или вспышке с аналогичной лампой) ?

У меня сохранилась только старая потрескавшаяся лампа из EF-530 DG ST.
Вчера пытался её поджечь на стенде: не получилось.

[Impulsite]

У Вас, как в притче: эх, какие только вездеходы не придумают, чтобы не строить нормальные дороги!
Вероятно, покупка лампочки "для SB-800" решит все затруднения. Эти лампочки от 3 USD. Можно и за меньшую сумму сторговаться за пригоршню. Ну что, что служат чуть меньше, чем "genuine"? Зато вспышкой уже можно будет пользоваться...
А "толстая" лампочка пусть в какой-нибудь "Электронике В5-24" послужит.

[zrymov]

Здравствуйте. Не включается Sigma EF-530 DG ST (Canon).
Напряжение на главную плату от батарей приходит 5 вольт (VCC-GND).
Светодиоды не горят, преобразователь не пищит.
Пока без IGBT RJP4301. Жду, когда придёт. Но даже когда транзистор был на месте, ситуация была аналогичная.



http://i.yapx.ru/BZZLC.jpg (5 mb)
http://i.yapx.ru/BZZLD.jpg (5 mb)

[Impulsite]

zrymov, пожалуйста, сначала сообщите суммарное напряжение батарей, незаряженных во вспышку, без нагрузки.
Затем, заправьте батареи во вспышку и измерьте напряжение на точке VCC относительно GND. Это нужно сделать, чтобы увидеть потребляет ли вспышка энергию.
При наличии на VCC напряжения батареи и главном включателе в положении TTL, измерьте, пожалуйста, относительно минуса батареи или относительно GND напряжения на выводах микросхем IC1 и IC5 (номера выводов я проставил на снимке) и напряжения на конденсаторах C14 и C13.
Будьте аккуратны, чтобы не замкнуть щупами соседние выводы микросхем. Для этого бывает полезно заточить щупы на острый конус.

[zrymov]

Здравствуйте!
Батарея 5 ... 5,05 Вольт.
IC5:
GND-
1) 5.97
2) 0
3) 0
4) 0
5) 5
C13: 5 Вольт

IC1:
GND-
1) 5.97
2) 5.97
3) 4.47
4) 0
5) 0.67
C14: 5,97 В

П.С. классную ретушь фото сделали =) Спасибо.

[Impulsite]

Спасибо, судя по числам, питание +5 В в порядке, IC1 "A6A" и IC5 "16M" исправны и работают.
IC1 с маркировкой A6A - это XC6367A603MR, повышающий ШИМ. Выходное напряжение 6 В, частота 300 МГц.
IC5 с маркировкой 16M - это XC6201502MR, интегрированный стабилизатор напряжения +5 В.

А вот дальше перспективы пока не очень хорошие. Микроконтроллер IC2 не выдает сигналы на управление ключевыми транзисторами преобразователя. Давайте проверим, приходит ли напряжение +5 В на питание IC2 через транзистор DTR2 "14". На его эмиттере (E) будет +5 вольт. Измерьте какие напряжения на коллекторе (C) и на базе (B). И также на выводах транзистора FET5 "G21". Как и раньше, все напряжения измерять относительно GND.
DTR2:
GND-
E) 5 В
C) ?
B) ?

FET5:
GND-
1) ?
2) ?
3) ?

И ещё, пожалуйста, сообщите, какие напряжения на выводах микросхемы IC3 "DC".
IC3:
GND-
1) ?
2) 5 В
3) ?
4) ?

Если найдете возможность воспользоваться осциллографом, посмотрите наличие генерации на крайних выводах кварца XTL относительно GND.

zrymov, скажите, правильно ли на рисунке https://impulsite.ru/ctlg/sigma/ef530dg ... -sidea.jpg я обозначил цвета проводов на разъёмах главной платы: CN1, CN2, CN3, CN4. Если есть ошибки, скажите какие.

[Impulsite]

Да, ещё прошу измерить напряжения на контрольных точках TP2, TP3, TP4, TP5 и TP6.
TP0 = GND
TP1 = 5 В
TP2 = ? В
TP3 = ? В
TP4 = ? В
TP5 = ? В
TP6 = ? В